[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体装置，其特征在于，

具有：

第一导电型的第一氮化物半导体层，

在上述第一氮化物半导体层上形成并与上述第一氮化物半导体层相接的第一导电型的第二氮化物半导体层，

与上述第二氮化物半导体层相接的第二导电型的第三氮化物半导体层，

与上述第三氮化物半导体层相接的第一导电型的第四氮化物半导体层，

使上述第一氮化物半导体层和上述第四氮化物半导体层绝缘分离的绝缘膜，

在上述第一氮化物半导体层的背面形成的漏电极，

在上述第四氮化物半导体层上形成的源电极，

在上述第三氮化物半导体层上隔着栅绝缘膜形成的栅电极；

俯视时，上述源电极位于上述绝缘膜的外缘的内侧。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，

俯视时，包含在上述第四氮化物半导体层的位错密度越是远离上述第四氮化物半导体层的中心就越低；

上述源电极的上述栅电极一侧的端部位于比把将上述第四氮化物半导体层的上述中心和上述第四氮化物半导体层与上述第三氮化物半导体层间的界面连接起来的线段分成2：3的点更靠近上述栅电极一侧的位置。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，俯视时，包含在上述第二氮化物半导体层的位错密度越是远离上述第二氮化物半导体层的中心就越低。

4.一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

在第一导电型的第一氮化物半导体层上形成使上述第一氮化物半导体层的表面的一部分露出的绝缘膜的工序；

在上述第一氮化物半导体层上形成覆盖上述绝缘膜的至少一部分的第二导电型的第三氮化物半导体层的工序；

在上述第三氮化物半导体层形成使上述绝缘膜的一部分露出的第一开口部的工序；

在上述第一开口部内通过横向结晶生长形成第一导电型的第四氮化物半导体层的工序；

形成与上述第一氮化物半导体层的上表面及上述第三氮化物半导体层的侧面相接的第一导电型的第二氮化物半导体层的工序；

在上述第四氮化物半导体层上形成源电极，在上述第一氮化物半导体层的背面形成漏电极，在上述第三氮化物半导体层的位于上述第二氮化物半导体层和上述第四氮化物半导体层之间的部分上隔着栅绝缘膜形成栅电极的工序。

5.根据权利要求4所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成上述第一开口部的同时在上述第三氮化物半导体层形成使上述第一氮化物半导体层的一部分露出的第二开口部；

形成上述第四氮化物半导体层的同时在上述第二开口部内形成上述第二氮化物半导体层。

6.根据权利要求5所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，通过横向结晶生长形成上述第二氮化物半导体层。

7.根据权利要求5所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，通过横向结晶生长形成上述第三氮化物半导体层。

8.根据权利要求4所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述第四氮化物半导体层之后具有如下工序：

在上述第三氮化物半导体层形成使上述第一氮化物半导体层一部分露出的第二开口部的工序，

在上述第二开口部的底面上形成对应上述第二氮化物半导体层的生长掩模的工序；

在形成上述生长掩模的工序之后，在上述第二开口部内形成上述第二氮化物半导体层。

9.根据权利要求8所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，使上述第二开口部的底面位于比上述第一氮化物半导体层和上述第二氮化物半导体层间的界面更靠下方的位置。

10.根据权利要求8所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，通过横向结晶生长形成上述第二氮化物半导体层。

11.根据权利要求8所述的化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，通过横向结晶生长形成上述第三氮化物半导体层。