[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及化合物半导体装置及其制造方法。

背景技术

GaN有望成为下一代高耐压、低导通电阻的功率器件材料。这是因为GaN具有带隙宽、绝缘破坏耐压高等特点。

使用GaN的功率器件的例子有纵向的MOS（metal-oxide-semiconductor，金属-氧化物-半导体）场效应晶体管（FET：field effect transistor）。

但是，以前的纵向MOSFET中，源极和漏极之间的GaN结晶中存在穿透位错，把这作为路径产生漏电流。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2006-313859号公报

非专利文献

非专利文献1:Ohtake,Appl.Phys.Express 1(2008)011105

非专利文献2:Kodama,Appl.Phys.Express1(2008)021104

发明内容

技术问题

本发明的目的在于，提供可以减少纵向MOSFET的漏电流的化合物半导体装置及其制造方法。

解决问题的手段

化合物半导体装置的制造方法的一方式，设置有：第一导电型的第一氮化物半导体层；在上述第一氮化物半导体层上形成并与上述第一氮化物半导体层相接的第一导电型的第二氮化物半导体层；与上述第二氮化物半导体层相接的第二导电型的第三氮化物半导体层；与上述第三氮化物半导体层相接的第一导电型的第四氮化物半导体层。还设置有：使上述第一氮化物半导体层和上述第四氮化物半导体层绝缘分离的绝缘膜；在上述第一半导体层的背面形成的漏电极；在上述第四氮化物半导体层上形成的源电极；在上述第三氮化物半导体层上隔着栅绝缘膜形成的栅电极。俯视时，上述源电极位于上述绝缘膜的外缘的内侧。

附图说明

图1是表示第一实施方式的化合物半导体装置的剖视图。

图2是表示第二实施方式的化合物半导体装置的剖视图。

图3A是表示第二实施方式的化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图3B是紧接着图3A表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图3C是紧接着图3B表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图3D是紧接着图3C表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图3E是紧接着图3D表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图3F是紧接着图3E表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图3G是紧接着图3F表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图3H是紧接着图3G表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图4A是表示半导体层13的形成方法的剖视图。

图4B是紧接着图4A表示半导体层13的形成方法的剖视图。

图4C是紧接着图4B表示半导体层13的形成方法的剖视图。

图5是表示第三实施方式的化合物半导体装置的剖视图。

图6A是表示第三实施方式的化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图6B是紧接着图6A表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图6C是紧接着图6B表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图6D是紧接着图6C表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图6E是紧接着图6D表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图6F是紧接着图6E表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图6G是紧接着图6F表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图6H是紧接着图6G表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图7是表示第四实施方式的化合物半导体装置的剖视图。

图8A是表示第四实施方式的化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图8B是紧接着图8A表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图8C是紧接着图8B表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图8D是紧接着图8C表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图8E是紧接着图8D表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图8F是紧接着图8E表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图8G是紧接着图8F表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。

图8H是紧接着图8G表示化合物半导体装置的制造方法的剖视图。