[发明专利]半导体装置以及构成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基底，具有第一传导型态；

深井区，具有第二传导型态，且形成在该基底上；以及

第一高端装置，配置在该深井区内，且包括：

隔离层，具有该第二传导型态，且形成在该基底；

井区，具有该第一传导型态，且形成在该深井区内；

第一区域及第二区域，皆具有该第二传导型态，且皆形成在该井区内；以及

第一多晶硅材料，配置在该第一区域与该第二区域之间且在该深井区上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一高端装置还包括第三区域，具有该第二传导型态，形成在该井区内且介于该第二区域与该井区之间。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第二区域与该第三区域形成双掺杂区域。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括第二高端装置，配置在该深井区内且包括：

第三区域及第四区域，皆具有该第一传导型态，且皆形成在该深井区内；以及

第二多晶硅材料，配置在该第三区域与该第四区域之间且在该深井区上。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，该第二高端装置还包括第五区域，具有该第一传导型态，形成在该深井区内且介于该第四区域与该深井区之间。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，该第四区域与该第五区域形成双掺杂区域。

7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

高端晶体管，耦接于电压源与共通节点之间；以及

低端晶体管，耦接于该共通节点与接地端之间，其中，该第一高端装置用来控制该高端晶体管的状态。

8.一种构成半导体结构的方法，包括：

形成具有第一传导型态的基底；

在该基底上形成具有第二传导型态的半导体层；

形成具有该第二传导型态的深井区，其中，该深井区由该基底的表面向下延伸；

由该基底的表面形成具有该第一传导型态的井区，其中，该井区配置在该深井区内且在该半导体层的上方；

在该深井区上配置第一多晶硅材料；以及

在该井区内形成具有该第二传导型态的第一区域以及第二区域。

9.如权利要求8所述的构成半导体结构的方法，还包括：

形成具有该第二传导型态的第三区域，其中，该第三区域形成在该井区内且在该第二区域与该井区之间。

10.如权利要求9所述的构成半导体结构的方法，其中，该第二区域与该第三区域形成双掺杂区域。

11.如权利要求8所述的构成半导体结构的方法，还包括：

在该深井区内形成具有该第一传导型态的第三区域及第四区域；以及

配置第二多晶硅材料，其中，该第二多晶硅材料配置在该第三区域与该第四区域之间且在该深井区上。

12.如权利要求11所述的构成半导体结构的方法，还包括：

形成具有该第一传导型态的第五区域，其中，该第五区域形成在该深井区内且在该第四区域与该深井区之间。

13.如权利要求12所述的构成半导体结构的方法，其中，该第四区域与该第五区域形成双掺杂区域。

14.如权利要求11所述的构成半导体结构的方法，该第一区域、该第二区域以及该第一多晶硅材料形成第一高端装置，且该第三区域、该第四区域以及该第二多晶硅材料形成第二高端装置。