[发明专利]电子元件封装体及其制作方法

权利要求书

1.一种电子元件封装体的制作方法，包括：

提供晶片，其具有上表面和下表面，该上表面上设有导电电极；

在该晶片的该上表面覆盖盖板；

在该晶片的该下表面覆盖保护层；

在该保护层上形成电性接触该导电电极的导电凸块；以及

在该盖板上形成开口结构；其中形成该开口结构的步骤，是于该晶片的该上表面覆盖该盖板之前实施，或者在该晶片的该下表面覆盖该保护层之后且于形成该导电凸块之前实施。

2.如权利要求1所述的电子元件封装体的制作方法，其中该晶片上设有多个微机电装置。

3.如权利要求2所述的电子元件封装体的制作方法，其中所述微机电装置包括压力感测芯片，该上表面覆盖感测薄膜。

4.如权利要求3所述的电子元件封装体的制作方法，其中该感测薄膜与该盖板之间包括间隙，该间隙由间隔层所围绕，且该间隔层与该感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区。

5.如权利要求4所述的电子元件封装体的制作方法，其中该间隔层位于该盖板与该导电电极之间。

6.如权利要求4所述的电子元件封装体的制作方法，其中该间隔层与该感测薄膜相距既定间距。

7.如权利要求1所述的电子元件封装体的制作方法，其中该开口结构包括单一开口或多孔结构。

8.如权利要求1所述的电子元件封装体的制作方法，其中该晶片的该下表面向内部形成有多个凹洞，且所述凹洞通过接合该晶片的该下表面的承载基板所密封。

9.如权利要求8所述的电子元件封装体的制作方法，在该晶片的该上表面覆盖该盖板之后还包括对该承载基板的背面进行薄化工艺，以薄化该承载基板至预定厚度。

10.如权利要求9所述的电子元件封装体的制作方法，其中该薄化工艺包括蚀刻、铣削、磨削或研磨。

11.如权利要求1所述的电子元件封装体的制作方法，在该晶片的该下表面覆盖该保护层之前还包括：

从该晶片的该下表面移除部分该晶片，以于该导电电极下方的位置形成第一开口；

在该晶片的该下表面和该第一开口中形成绝缘层；

移除部分该第一开口中的部分该绝缘层，以形成第二开口，并暴露出该导电电极；以及

在该第二开口的内侧壁及底部上形成导线层，且延伸至该晶片的该下表面的部分该绝缘层上，其中该导线层电性接触该导电电极。

12.如权利要求11所述的电子元件封装体的制作方法，其中该保护层形成于该导线层上，且填入该第二开口。

13.如权利要求4所述的电子元件封装体的制作方法，其中该开口结构对应形成于该感测薄膜位置的正上方，且连通至该间隙。

14.如权利要求3所述的电子元件封装体的制作方法，其中该感测薄膜与该开口结构的面积比介于1至1.5之间。

15.一种电子元件封装体，包括：

感测芯片，该感测芯片的上表面包括感测薄膜；

具有开口结构的盖板，覆盖该感测芯片的该上表面，该盖板与该感测芯片之间于对应该感测薄膜位置上包括连通该开口结构的间隙；以及

间隔层，介于该盖板与该感测芯片之间且围绕着该间隙。

16.如权利要求15所述的电子元件封装体，其中该间隔层与该感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区。

17.如权利要求15所述的电子元件封装体，还包括导电电极，设置于该感测芯片的该上表面上，且介于该间隔层与该感测芯片之间。

18.如权利要求15所述的电子元件封装体，其中，该间隔层与该感测薄膜相距既定间距。

19.如权利要求15所述的电子元件封装体，其中，该盖板为硅基板。

20.如权利要求16所述的电子元件封装体，其中，该开口结构包括单一开口或多孔结构。

21.如权利要求15所述的电子元件封装体，其中该感测芯片的该下表面向内部形成有多个凹洞，且所述凹洞通过接合该感测芯片的该下表面的承载基板所密封。