[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

导电部，所述导电部形成在所述半导体芯片上；以及

凸块电极，所述凸块电极直接或间接形成在所述导电部上，

其中，所述导电部包括：

狭缝部，所述狭缝部具有比所述导电部的其它部分更薄的厚度，

其中，所述凸块电极在所述狭缝部上方具有与所述狭缝部相对应的凹陷部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

绝缘层，所述绝缘层形成在所述狭缝部与所述凸块电极之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述绝缘层包括：

HDP层间绝缘层，所述HDP层间绝缘层形成在所述导电部上；以及

SiN膜或SiON膜，所述SiN膜或SiON膜形成在所述HDP绝缘膜上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，所述狭缝部在所述导电部的厚度方向上穿透所述导电部。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，所述狭缝部包括：

在所述导电部的所述厚度方向上的凹陷部。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，所述导电部包括多个狭缝子部，

所述凸块电极包括与所述多个狭缝子部相对应的多个所述凹陷部。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述多个狭缝子部被布置成在所述导电部中彼此平行，以及

所述多个凹陷部被布置成在所述凸块电极中彼此平行。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述多个狭缝子部被分布式地布置在所述导电部的周围部分中，以及

所述多个凹陷部被分布式地布置在所述凸块电极的周围部分中。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，还包括：多个所述凸块电极。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体芯片上形成导电部，所述导电部包括狭缝部，所述狭缝部具有比所述导电部的其它部分更薄的厚度；以及

在所述导电部上形成凸块电极，使得在所述狭缝部上方与所述狭缝部相对应地形成凹陷部。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述导电部上形成绝缘层；以及

去除所述绝缘层的一部分，以形成覆盖开口，

其中，所述形成绝缘层包括：

形成所述绝缘层，以在所述狭缝部上方留下与所述狭缝部相对应的凹陷部，

其中，所述去除包括：

去除所述绝缘层的一部分，以留下所述绝缘层的所述凹陷部。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述形成绝缘层包括：

在所述导电部上，形成HDP层间绝缘层；以及

在所述HDP层间绝缘层上，形成SiON膜或SiN膜。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中，所述形成导电部包括：形成除了所述狭缝部之外的所述导电部。

14.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中，所述形成导电部包括：

形成除了所述狭缝部之外的所述导电部；

在导电部形成区域的整个区域上形成所述导电部；以及

从所述导电部中去除所述导电部的与所述狭缝部相对应的部分。