[发明专利]半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体而言，涉及一种具有凸块电极结构的半导体器件及其制造方法。

背景技术

近年来，半导体器件的结合焊盘部已经变得越来越窄并且越来越小。另一方面，结合焊盘的数目已经增加。随着这些改变，当对凸块电极的表面执行芯片测试时，更频繁地出现探测卡针的偏移现象。当出现探测卡针的偏移现象时，在某些情况下，针时常与除了凸块电极之外的图案相接触。结果，半导体器件的表面出现损伤，从而导致产品故障。

图1是传统半导体器件的焊盘结构的截面图。凸块电极7的面上的Al层结合焊盘1的表面是平坦的，并且因此凸块电极7的表面也几乎是平坦的。在位于Al层结合焊盘1的左端和右端的凸块电极7的表面上，实际存在小的阶梯。然而，这些阶梯之间的距离大致为数十微米，并且因此凸块电极7的表面的形状不陡峭并且基本上是平坦的。由此带来的结果是，当探测卡针出现偏移时，针滑离凸块电极7并且因此从其偏移，并且与除了凸块电极7之外的图案的一部分相接触，使得图案受损。

结合以上说明，日本专利申请公布(JP 2003-347351A：第一传统示例)公开了与半导体器件相关的发明。第一传统示例的半导体器件包括半导体衬底、布线层、突出层(projected layer)和导电层。这里，半导体衬底具有半导体元件部。布线层形成在半导体衬底的主表面上。在预定的焊盘区域上，设置有在布线层上选择性地形成的至少一个突出层。导电层覆盖焊盘区中突出层的暴露表面和布线层的暴露表面的不平坦表面。

发明内容

本发明的目的在于在凸块电极上设置不平坦部，以防止探测卡针的偏移。

在本发明的一个方面，一种半导体器件包括：导电部，所述导电部形成在半导体芯片上；以及凸块电极，所述凸块电极直接或间接形成在导电部上。导电部包括狭缝部，所述狭缝部具有的厚度比导电部中的其它部分更薄。凸块电极在狭缝部上方具有与狭缝部相对应的凹陷部。

在本发明的另一个方面，一种制造半导体器件的方法包括：在半导体芯片上形成导电部，所述导电部包括狭缝部，所述狭缝部具有的厚度比导电部的其它部分更薄；以及在导电部上形成凸块电极，使得在狭缝部上方形成与狭缝部相对应的凹陷部。

在凸块电极7的表面上形成不平坦部。凸块电极7的表面上的凹陷部可以防止探测卡针的偏移。在本发明中，狭缝部2被事先设置在Al层结合焊盘1中，并且HDP(高密度等离子体)层间绝缘膜4和SiON膜5或SiN膜5形成在Al层结合焊盘上，并且凸块电极7进一步形成在Al层结合焊盘上。这时，在狭缝部2上方的每一层处都形成了不平坦部。

附图说明

图1是根据传统技术的半导体器件的焊盘结构的截面图；

图2是根据传统技术的Al层结合焊盘的平面图；

图3是根据传统技术在HDP层间氧化物膜上形成HDP层间绝缘层并且形成SiON膜或SiN膜之后的焊盘结构的截面图；

图4是根据传统技术在形成覆盖开口6之后的焊盘结构的截面图；

图5是根据本发明的第一实施例的半导体器件的Al层结合焊盘1的平面图；

图6是在形成HDP层间绝缘层和SiON膜或SiN膜之后的根据本发明第一实施例的半导体器件的截面图；

图7是在形成覆盖开口之后的根据本发明第一实施例的半导体器件的截面图；

图8是在形成凸块电极之后的根据本发明第一实施例的半导体器件的截面图；

图9是根据本发明第二实施例的半导体器件的Al层结合焊盘的示例的平面图；

图10是根据本发明第二实施例的半导体器件的Al层结合焊盘的另一个示例的平面图；

图11是根据本发明第二实施例的半导体器件的截面图；

图12是根据本发明第三实施例的Al层结合焊盘的平面图；

图13是根据本发明第三实施例的半导体器件的截面图；以及

图14是根据本发明第四实施例的多个Al层结合焊盘的平面图。

具体实施方式

下文中，将参照附图来描述根据本发明的半导体器件。

这里，在说明根据本发明第一实施例的半导体之前，将描述制造半导体器件的传统方法。