[发明专利]可增加发光效率的白色发光二极管封装结构及其制作方法无效
申请号: | 201010002856.4 | 申请日: | 2010-01-21 |
公开(公告)号: | CN102136540A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;庄峰辉;萧松益 | 申请(专利权)人: | 宏齐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/58 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可增加 发光 效率 白色 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于,包括:
一基板单元;
一半导体发光单元,其成形于该基板单元上,其中该半导体发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、及一成形于该发光本体上的负极导电层;
一透光单元,其具有一成形在该半导体发光单元上的透光层及至少两个用于露出该正极导电层的一部分上表面及该负极导电层的一部分上表面的缺口;
一导电单元,其具有至少两条导线,其中上述至少两条导线分别穿过上述两个缺口,以分别电性连接于该正极导电层与该基板单元之间及电性连接于该负极导电层与该基板单元之间;以及
一荧光单元,其成形于该基板单元上,以覆盖该半导体发光单元、该透光单元及该导电单元;
其中该半导体发光单元、该透光单元及该荧光单元的折射率都不相同,从而该半导体发光单元所产生的光线依序穿过该透光单元及该荧光单元。
2.如权利要求1所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于:该基板单元具有一基板本体、一形成于该基板本体上表面的正极导电焊垫、及一形成于该基板本体上表面的负极导电焊垫。
3.如权利要求2所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于:上述至少两条导线分别电性连接于该正极导电层与该正极导电焊垫之间及电性连接于该负极导电层与该负极导电焊垫之间。
4.如权利要求1所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于:该半导体发光单元具有一成形于该发光本体内的发光区域。
5.如权利要求4所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于:该半导体发光单元具有一设置于该发光本体底端的反射层,以使得该发光区域所产生的朝下光束通过该反射层的反射而转换为朝上光束。
6.如权利要求1所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于:该发光本体具有一氧化铝基板、一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层、及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层,此外该正极导电层成形于该氮化镓正电极层上,该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上。
7.如权利要求1所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于:该半导体发光单元的折射率大于该透光单元的折射率,并且该透光单元的折射率高于该荧光单元的折射率。
8.如权利要求1所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于:该透光单元为一折射率介于1.6~2.4之间的绝缘透光层,该绝缘透光层为金属氧化物薄膜或透光高分子薄膜,并且该荧光单元的折射率低于该透光单元并且高于1。
9.如权利要求1所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于:该荧光层为由硅胶与荧光粉所混合形成的荧光胶体或由环氧树脂与荧光粉所混合形成的荧光胶体。
10.如权利要求1所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构,其特征在于,更进一步包括:一设置于该基板单元上的聚焦透镜,以用于覆盖该荧光单元。
11.一种可增加发光效率的白色发光二极管封装结构的制作方法,其特征在于,包括下列步骤:
提供一半导体发光单元,其具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层及一成形于该发光本体上的负极导电层;
形成一透光层于该半导体发光单元上;
形成至少两个穿透该透光层的缺口,以用于露出该正极导电层的一部分上表面及该负极导电层的一部分上表面;
将该半导体发光单元电性地设置于一基板单元上;
将至少两条导线分别穿过上述两个缺口,以分别电性连接于该正极导电层与该基板单元之间及电性连接于该负极导电层与该基板单元之间;以及
形成一荧光单元于该基板单元上,以覆盖该半导体发光单元、该透光层及上述至少两条导线。
12.如权利要求11所述的可增加发光效率的白色发光二极管封装结构的制作方法,其中该基板单元具有一基板本体、一形成于该基板本体上表面的正极导电焊垫、及一形成于该基板本体上表面的负极导电焊垫。
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