[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电动势装置，其特征在于，包括：

具有绝缘性表面的基板；

在所述基板的绝缘性表面上形成的，由第一开沟部所分离的第一 基板侧电极和第二基板侧电极；

以覆盖所述第一基板侧电极和所述第二基板侧电极的方式而形成 的第一光电变换部；

隔着具有导电性的中间层在所述第一光电变换部的表面上形成的 第二光电变换部；

在所述第二光电变换部的表面上形成的，分别与所述第一基板侧 电极和所述第二基板侧电极对应的由银构成的第一背面电极和第二背 面电极；

用于电分离所述第一背面电极和所述第二背面电极的第二开沟 部；

在所述第一开沟部和所述第二开沟部之间的区域中，以至少切断 所述第二光电变换部和所述中间层的方式形成的第三开沟部；

以至少覆盖所述中间层的切断部的方式埋入在所述第三开沟部内 的第一绝缘部件；和

在所述第二开沟部和所述第三开沟部之间的区域中，与所述第一 基板侧电极电连接，并且跨越所述第三开沟部而与所述第二背面电极 电连接的由银构成的导电性部件，

还包括在所述第二开沟部和所述第三开沟部之间的区域中，以贯 通所述第二背面电极、所述第二光电变换部、所述中间层和所述第一 光电变换部，并且露出所述第一基板侧电极的表面的方式形成的第四 开沟部；

所述导电性部件被形成为以与在所述第四开沟部内露出的所述第 一基板侧电极的表面接触的方式埋入在所述第四开沟部中，并且跨越 埋入在所述第三开沟部内的所述第一绝缘部件而与所述第二背面电极 电连接。

2.如权利要求1所述的光电动势装置，其特征在于：

将所述第一绝缘部件充填在所述第三开沟部内。

3.如权利要求2所述的光电动势装置，其特征在于：

所述第一绝缘部件的上表面被形成为比所述第二背面电极的上表 面更朝上突出。

4.如权利要求1所述的光电动势装置，其特征在于：

以与所述第二背面电极的所述第一开沟部和所述第三开沟部之间 的区域的表面接触的方式形成所述导电性部件。

5.如权利要求1所述的光电动势装置，其特征在于：

以贯通所述第二背面电极、所述第二光电变换部、所述中间层和 所述第一光电变换部，并且露出所述第一基板侧电极的表面的方式形 成所述第二开沟部。

6.如权利要求1所述的光电动势装置，其特征在于：

以贯通所述第二背面电极、所述第二光电变换部、所述中间层和 所述第一光电变换部，并且露出所述第一基板侧电极的表面的方式形 成所述第三开沟部。

7.如权利要求1所述的光电动势装置，其特征在于，还包括：

以埋入在所述第二开沟部内的方式形成的第二绝缘部件。

8.如权利要求7所述的光电动势装置，其特征在于：

将所述第二绝缘部件充填在所述第二开沟部内。

9.如权利要求1所述的光电动势装置，其特征在于：

所述中间层具有使从所述基板侧入射的光部分反射并且部分透过 的功能。