[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本申请是申请日为2007年2月15日、申请号为200710078823.6的同名专利申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及光电动势装置及其制造方法，特别涉及设置有在多个光电变换部之间具有导电性的中间层的光电动势装置及其制造方法。 

背景技术

在现阶段，设置有在多个光电变换部之间具有导电性的中间层的光电动势装置是众所周知的。这种光电动势装置，例如，已经在日本特开2002-118273号专利公报中有所揭示。 

在上述日本特开2002-118273号专利公报中揭示的光电动势装置中，在基板上隔开规定间隔而形成第一透明电极和第二透明电极，并且在第一透明电极和第二透明电极上，形成第一光电变换单元。而且，在第一光电变换单元上，隔着具有导电性的中间层形成第二光电变换单元。而且，在第二光电变换单元上，以分别与所述第一透明电极和第二透明电极对应的方式而配置有第一背面电极和第二背面电极。此外，经由以贯通第二光电变换单元、中间层和第一光电变换单元的方式形成的开沟部，而使第一背面电极与第二透明电极电连接。 

但是，在上述日本特开2002-118273号专利公报中揭示的光电动势装置中，因为第一背面电极与在开沟部内具有导电性的中间层接触，所以存在着在第一背面电极和中间层之间发生电短路那样的问题。 

发明内容

本发明就是为了解决上述问题而提出的，本发明的目的之一在于提供一种在备有在多个光电变换部之间具有导电性的中间层的情形中，也能够抑制背面电极和中间层的电短路的光电动势装置及其制造方法。 

为了实现所述目的，根据本发明的第一方面中的光电动势装置，包括具有绝缘性表面的基板、在基板的绝缘性表面上形成的，由第一 

开沟部所分离的第一基板侧电极和第二基板侧电极、以覆盖第一基板侧电极和第二基板侧电极的方式形成的第一光电变换部、隔着具有导电性的中间层在第一光电变换部的表面上形成的第二光电变换部、在第二光电变换部的表面上形成的，分别与第一基板侧电极和第二基板侧电极对应的第一背面电极和第二背面电极、用于电分离第一背面电极和第二背面电极的第二开沟部、在第一开沟部和第二开沟部之间的区域中，以从第二背面电极的上表面至少切断中间层的方式形成的第三开沟部、以至少覆盖中间层的切断部的方式埋入在第三开沟部内的第一绝缘部件、以及在第二开沟部和第三开沟部之间的区域中，与第一基板侧电极电连接，并且跨越第三开沟部而与第二背面电极电连接的导电性部件。 

在根据该第一方面中的光电动势装置中，如上所述，通过在用于电分离第一基板侧电极和第二基板侧电极的第一开沟部、和用于电分离第一背面电极和第二背面电极的第二开沟部之间的区域中，设置以从第二背面电极的上表面至少切断中间层的方式形成的第三开沟部，并且设置以至少覆盖中间层的切断部的方式埋入在第三开沟部内的第一绝缘部件，而能够用该第一绝缘部件，使相对于第三开沟部的第一开沟部侧的中间层、和相对于第三开沟部的第二开沟部侧的中间层电绝缘。此外，因为通过在用于电分离第一背面电极和第二背面电极的第二开沟部和埋入第一绝缘部件的第三开沟部之间的区域中，设置与第一基板侧电极电连接，并且跨越第三开沟部而与第二背面电极电连接的导电性部件，由所述第一绝缘部件，使该导电性部件与相对于第三开沟部的第一开沟部侧的中间层电绝缘，所以能够抑制导电性部件与相对于第三开沟部的第一开沟部侧的中间层发生电短路。此外，因为通过与背面电极不同地设置导电性部件，在形成第二光电变换部后连续地形成背面电极，此后，能够采用形成导电性部件的制造步骤，所以在光电动势装置的制造过程中能够防止最想要抑制污染的第二光电变换部的表面暴露在大气中。 

在根据上述第一方面中的光电动势装置中，优选还包括在第二开沟部和第三开沟部之间的区域中，以贯通第二背面电极、第二光电变换部、中间层和第一光电变换部，并且与露出第一基板侧电极的表面 的方式形成的第四开沟部，导电性部件被形成为以与在第四开沟部内露出的第一基板侧电极的表面接触的方式埋入在第四开沟部中，并且跨越埋入在第三开沟部内的第一绝缘部件而与第二背面电极电连接。如果这样地进行构成，则因为由埋入在第三开沟部内的第一绝缘部件使埋入在第四开沟部内的导电性部件，与相对于第三开沟部的第一开沟部侧的中间层电绝缘，所以能够抑制导电性部件与相对于第三开沟部的第一开沟部侧的中间层发生电短路。