[发明专利]线路板及其制程有效

专利信息
申请号: 201010003982.1 申请日: 2010-01-15
公开(公告)号: CN102131350A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 曾子章;江书圣;陈宗源 申请(专利权)人: 欣兴电子股份有限公司
主分类号: H05K3/10 分类号: H05K3/10;H05K3/40;H05K3/46;H05K1/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 魏晓刚
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 线路板 及其
【权利要求书】:

1.一种线路板的制程,包括:

提供一线路基板,该线路基板具有一第一表面与一第一线路层;

形成一第一介质层在该线路基板上,该第一介质层具有一第二表面,且该第一介质层覆盖该第一表面与该第一线路层;

形成一抗活化层在该第一介质层的该第二表面上;

对该抗活化层照射一激光束,以形成至少一从该抗活化层延伸至该第一线路层的盲孔以及一凹刻图案;

形成一第一导电层在该盲孔内;以及

形成一第二导电层在该凹刻图案与该盲孔内,其中该第二导电层覆盖该第一导电层,且该第二导电层借由该第一导电层电性连接至该第一线路层;以及

移除该抗活化层,以暴露出该第一介质层的该第二表面。

2.根据权利要求1所述的线路板的制程,其中该盲孔的高度为H,而该第一导电层的厚度为h,且0.2≤(h/H)≤0.9。

3.根据权利要求1所述的线路板的制程,其中形成该抗活化层的方法包括贴附具有一具有影像转移特性的树脂薄膜。

4.根据权利要求1所述的线路板的制程,其中形成该抗活化层的方法包括喷涂一纳米级抗活化材料。

5.根据权利要求1、3或4所述的线路板的制程,其中该抗活化层的厚度介于1纳米至15微米之间。

6.根据权利要求1、3或4所述的线路板的制程,其中该抗活化层的材质包括一不含羟基(OH)官能基团或羧基(COOH)官能基团的高分子材料。

7.根据权利要求1或2所述的线路板的制程,其中形成该第一导电层在该盲孔内的方法包括化学沉积法。

8.根据权利要求1所述的线路板的制程,其中在形成该第二导电层之前,还包括:

形成一活化层在该第一介质层的该凹刻图案内以及该第一导电层上。

9.根据权利要求1或8所述的线路板的制程,其中形成该第二导电层在该凹刻图案与该盲孔内的方法包括化学沉积法。

10.根据权利要求1所述的线路板的制程,其中移除该抗活化层的方法包括掀离法或化学蚀刻法。

11.根据权利要求1所述的线路板的制程,其中该第一线路层内埋在该线路基板中,且该第一线路层的一表面与该第一表面实质上切齐。

12.根据权利要求1所述的线路板的制程,其中该第一线路层配置在该线路基板的该第一表面上。

13.根据权利要求1或10所述的线路板的制程,其中移除该抗活化层,以暴露出该第一介质层的该第二表面之后,还包括形成一第二介质层在该第一介质层上,其中该第二介质层覆盖该第二导电层与该第一介质层的该第二表面。

14.一种线路板,包括:

一线路基板,具有一第一表面与一第一线路层;

一第一介质层,配置在该线路基板上且覆盖该第一表面与该第一线路层,该介质层具有一第二表面、至少一从该第二表面延伸至该第一线路层的盲孔以及一凹刻图案;

一第一导电层,配置在该盲孔内;

一第二导电层,配置在该凹刻图案与该盲孔内,且覆盖该第一导电层,其中该第二导电层借由该第一导电层电性连接至该第一线路层;以及

一第二介质层,配置在该第一介质层上,且覆盖该第二导电层与该第一介质层的该第二表面。

15.根据权利要求14所述的线路板,其中该盲孔的高度为H,而该第一导电层的厚度为h,且0.2≤(h/H)≤0.9。

16.根据权利要求14所述的线路板,还包括一活化层,配置在该介质层的该凹刻图案与该第二导电层之间以及配置在该第一导电层与该第二导电层之间。

17.根据权利要求14所述的线路板,其中该第一线路层内埋在该线路基板中,且该第一线路层的一表面与该第一表面实质上切齐。

18.根据权利要求14所述的线路板,其中该第一线路层配置在该线路基板的该第一表面上。

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