[发明专利]一种LED背光结构无效
| 申请号： | 201010004292.8 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101749602A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈志光 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S8/00 | 分类号： | F21S8/00;F21V8/00;F21V13/00;F21V23/00;G02F1/13357;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 背光 结构 | ||
1.一种基于TMOS(Time Multiplexed Optical Shutter，时序多工光学快门)技术的LED背光结构，其特征在于，所述LED背光结构至少包括：
一光源；
一导光板，具有一TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列，用于接收来自所述光源的光；以及
一OpcuityTM活性层，与所述导光板相对设置，包括：
一基底薄膜；
位于所述基底薄膜上方的软导线；以及
一MEMS(Micro Electrical Mechanical System，微电机系统)元件，位于所述软导线上方，
其中，所述活性层的MEMS元件对应于LCD像素而设置。
2.如权利要求1所述的LED背光结构，其特征在于，所述光源是一白色LED光源或一RGB三原色LED光源。
3.如权利要求1所述的LED背光结构，其特征在于，所述基底薄膜是一聚合物薄膜。
4.如权利要求1所述的LED背光结构，其特征在于，所述MEMS元件是一微光学层。
5.如权利要求1所述的LED背光结构，其特征在于，所述导光板还具有一驱动控制器，用于控制所述薄膜晶体管阵列。
6.如权利要求1所述的LED背光结构，其特征在于，当像素电容上没有电压差时，所述导光板的传导平面和所述活性层的传导平面相互平行，并且保留一定的间隙。
7.如权利要求6所述的LED背光结构，其特征在于，光线在所述导光板的传导平面上发生全反射。
8.如权利要求1所述的LED背光结构，其特征在于，当像素电容上产生电压差时，所述导光板的传导平面和所述活性层的传导平面结合在一起，并且所述光线穿透所述活性层的传导平面到达相应的LCD像素。
9.如权利要求6或8所述的LED背光结构，其特征在于，所述活性层的传导平面位于所述MEMS元件上。
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