[发明专利]发光元件的缺陷检测方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种检测方法及系统，更具体地说，涉及一种发光元件的缺陷检测方法及系统。

背景技术

发光二极管晶粒的制程大致可区分为磊晶阶段、黄光显影阶段、以及切割等三大步骤，而上述三阶段的制程优劣对发光二极管晶粒的良率影响甚巨。举例而言，在形成磊晶的过程中，由于成长基板与用以成长磊晶的材料间的晶格常数及膨胀系数有差异，因此必须于成长基板上先形成一缓冲层，再于缓冲层上接续成长诸如n型半导体层、发光层、p型半导体层等磊晶层。然而若缓冲层厚度及形成的工作温度控制不当，易使成长基板与磊晶层间产生的应力过大，或成长基板的结晶性无法有效的传到磊晶层，进而造成磊晶层的崩坏。黄光显影制程中所发生的缺失则与发光二极管晶粒表面的缺陷较为相关，例如在覆盖光阻-曝光-显影-蚀刻-去除光阻以使n型半导体层外露的过程中可能会发生诸如光阻涂覆问题、对焦与曝光缺陷、显影缺陷、修边问题、污染以及刮痕而导致缺陷的产生。而在后续形成金属电极时常见的缺陷则有金属残留；而形成以ITO为材料的透明电极时，亦常出现ITO破损的现象。切割制程中所发生常见的缺失的则有切割不当。

用可见光照射发光二极管晶粒以将缺陷显示出为目前较常见的检测方式，然而可见光在发光二极管晶粒表面会产生散射及反射，而导致一些较微小的缺陷在可见光的照射下经常无法被显示出或是显示得不够清楚，而磊晶层内部的缺陷亦难以藉此显现。

再者，目前有些发光二极管晶粒会先将磊晶表面粗化后再镀上膜状的ITO以同时增加光输出效率及电流分布，而磊晶表面的缺陷或ITO的破损经常因粗化的结构而更无法被可见光照射而显示出来。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种发光元件的缺陷检测方法及系统，以检测出发光元件的缺陷。

为达以上目的，本发明揭示一种发光元件的缺陷检测方法，其步骤包括：提供一待测发光元件；利用一能阶大于待测发光元件的检测光源照射待测发光元件，以使待测发光元件发出萤光；以及通过待测发光元件所发出的萤光判断出待测发光元件是否有缺陷，如果待测发光元件具有至少一缺陷时，缺陷位于发光元件的位置及缺陷的形状或大小等便会被萤光照射而显示出来。

为达以上目的，本发明亦揭示一种发光元件的缺陷检测系统，应用于检测一待测发光元件，包括：一承载体，用以承载待测发光元件；一光源发射单元，用以向待测发光元件发射检测光源，其能阶高于待测发光元件的能阶，以使待测发光元件发出萤光。；一判断模块，用以判断待测发光元件是否有缺陷，如果待测发光元件具有至少一缺陷时，缺陷位于待测发光元件的位置及缺陷的形状或大小等便会受萤光的照射而显示出。

通过检测光源激发待测发光元件发出萤光，可清楚地显示出待测发光元件内外所有的缺陷以藉此筛选出不良品，而缺陷的分布位置、大小、及形状也可清楚地被判别出。

而在进行多次检测后，更可通过各缺陷所显示出的特征归纳出各缺陷的成因，进而据此检讨产线上的缺失，以提升产品良率。

附图说明

图1A是本发明发光元件的缺陷检测系统的示意图；

图1B是本发明发光元件的缺陷检测系统的局部示意图；

图2是本发明发光元件的缺陷检测系统应用于一待测发光元件的俯视示意图；以及

图3是本发明发光元件的缺陷检测方法的流程图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。本发明也可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同的观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。

请参阅图1A，其是本发明发光元件的缺陷检测系统的一具体实施例示意图，本发明的缺陷检测系统100可包括一承载体101、一光源发射单元102、以及一判断模块103。可将至少一待测发光元件200置放于承载体101上，接着启动光源发射单元102向待测发光元件200发射检测光源L。检测光源L的能阶高于待测发光元件200，因此当检测光源L照射在待测发光元件200上时，待测发光元件200便会受激发而发出萤光，如果待测发光元件200本身具有缺陷，缺陷的轮廓便会在萤光的照射下显现出来。