[发明专利]预报集成电路静电放电失效的测试电路及预测方法无效

专利信息
申请号: 201010013579.7 申请日: 2010-01-08
公开(公告)号: CN101762781A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 庄奕琪;辛维平;李小明 申请(专利权)人: 西安西电科大射频集成电路有限责任公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710065 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 预报 集成电路 静电 放电 失效 测试 电路 预测 方法
【权利要求书】:

1.一种预报集成电路静电放电失效的测试电路,其特征在于:它包括:箝位二极管 (7),升压电容(10)、开关电路(11)、应力及延迟控制器电路(12)、应力控制器电路(13)、 比较器(14)和四个二极管,分别是第一个二极管(3)、第二个二极管(4)、第三个二极 管(5)、第四个二极管(6),以及两个失效测试电容,分别是第一个失效测试电容(8)、 第二个失效测试电容(9),这些元件均设置在集成电路的端口周围;该四个二极管中的第 三个二极管(5)、第四个二极管(6)与开关电路(11)以及升压电容(10)连接,构成升 压电路;该应力及延迟控制器电路(12)与两个失效测试电容中的第二个失效测试电容(9)、 四个二极管中的第二个二极管(4)连接,用于检测静电放电应力和产生控制信号,并将信 号传输给应力控制器电路(13);该比较器(14)与两个失效测试电容(8,9)和箝位二极 管(7)连接,箝位二极管(7)对两个失效测试电容(8,9)上的电压进行箝位,当在两 个失效测试电容(8,9)失效时,比较器(14)输出失效报警信号。

2.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于:两个失效测试电容(8,9)采用 MOS结构,并与集成电路(2)采用同一工艺制造,以完全反应集成电路(2)的状态。

3.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于:四个二极管中的第一个二极管(3) 和第二个二极管(4)构成静电放电耦合电路,将集成电路(2)端口上静电放电保护电路 (1)未完全泻放的静电放电应力耦合到失效测试电容(8,9)上,在电源掉电时,其静电 放电耦合电路仍然可以工作,并且可以耦合正、负静电放电应力。

4.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于:应力控制器电路(13)收到应力及 延迟控制器电路(12)的控制信号后,开启升压电路,产生应力电压并加载在两个失效测 试电容(8,9)上,促使其加速退化。

5.一种预报集成电路静电放电失效的方法,包括如下步骤:

(1)根据集成电路采用的工艺确定最小单元电容的面积,获得集成电路的栅氧面积并 根据工艺中栅氧的厚度确定栅氧经时击穿的失效模型;

(2)根据确定的失效模型以及寿命分布函数,利用外推法确定集成电路的特征寿命, 并通过实验获得电加速因子γ,氧化层加速因子α,威布尔分布的尺度参数t1/N、威布尔分 布的位置参数tp,以及威布尔分布的形状参数β,依据这些参数,获得集成电路的特征寿 命曲线;

(3)根据集成电路的功能及要求确定报警距离,利用步骤(2)获得的参数得到失效 测试电容的寿命曲线;

(4)利用如下公式获得最小单元电容个数N以及失效测试电容栅氧上的电应力Vstress

talarm=t1/N(ln(NN-1))-1/β]]>

talarm=tmain(-BNAln(1-0.1%))1/βexp(-γ(Vstress-VDD))]]>

其中talarm是失效测试电容的寿命,t1/N是N个最小单元电容构成的失效测试电容的特征 寿命,A是最小单元电容的面积,B是集成电路端口上器件的栅氧总面积,VDD是集成电路 栅氧上的电应力,β是威布尔分布的形状参数,tmain是集成电路的特征寿命;

(5)根据获得的电容个数N和失效测试电容栅氧上的电应力Vstress进行ESD失效测试 电路的版图设计;

(6)将测试电路版图集成于集成电路版图中,在集成电路工作期间,测试电路中的失 效测试电容在Vstress的作用下处于加速退化状态,当失效测试电容失效时,测试电路发出告 警信号。

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