[发明专利]分栅型非易失性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种分栅型非易失性存储器的制作方法，包括：

提供半导体衬底，在所述的半导体衬底上依次形成耦合介质层，第一传 导层以及刻蚀阻挡层；

在所述的刻蚀阻挡层上形成开口，在所述的开口内沉积隔离介质层以及 位于隔离介质层上的第一耦合传导层，隔离介质层和第一耦合传导层的厚度 之和小于开口高度，所述的第一耦合传导层的材料为多晶硅；

在所述开口的侧壁形成支撑介质层；

以所述刻蚀阻挡层和支撑介质层为掩膜，刻蚀第一耦合传导层，隔离介 质层，第一传导层以及耦合介质层至暴露除半导体衬底，形成两个分离的包 括支撑介质层、第一耦合传导层，隔离介质层，第一传导层和耦合介质层的 结构单元；

以所述刻蚀阻挡层和支撑介质层为掩膜，在半导体衬底内进行第一离子 注入，形成源极；

在两个分离的耦合介质层、第一传导层、隔离介质层以及部分第一耦合 传导层的内侧壁形成第一侧壁层；

在两个分离的结构单元之间的间隙中填充第二耦合传导层，第二耦合传 导层与第一耦合传导层电接触，所述的第二耦合传导层的材料为多晶硅；

在所述的第二耦合传导层以及支撑介质层的表面形成保护层；

去除刻蚀阻挡层；

以所述保护层为掩膜，去除其它位置的第一传导层以及耦合介质层，至 暴露出半导体衬底，刻蚀后保留的第一传导层作为半导体器件的浮栅，去除 所述保护层；

在两个分离的结构单元外侧壁以及结构单元外侧的半导体衬底上形成呈 L型的隧道介质层；

在所述隧道介质层的外侧形成控制栅极；

在控制栅外侧的半导体衬底内进行离子注入，形成漏极。

2.根据权利要求1所述的分栅型非易失性存储器的制作方法，其特征在 于，所述的第一耦合传导层的厚度为600-1500埃。

3.根据权利要求1所述的分栅型非易失性存储器的制作方法，其特征在 于，所述的浮栅以及控制栅的材料为多晶硅。

4.根据权利要求1所述的分栅型非易失性存储器的制作方法，其特征在 于，所述的耦合介质层，隔离介质层，第一侧壁层以及隧道介质层的材料为 氧化硅。