[发明专利]EEPROM中调节隔离结构高度的方法

权利要求书

1.一种EEPROM中调节隔离结构高度的方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在EEPROM的高压区和低压区都生长一层高压栅氧化层；

第2步，在硅片表面旋涂光刻胶，曝光、显影后仅暴露出EEPROM的高压区的隧穿窗口和隔离结构，采用湿法腐蚀工艺去除掉所述暴露区域的部分二氧化硅，去除硅片表面的光刻胶；

第3步，在EEPROM的高压区和低压区都淀积一层多晶硅；

第4步，采用光刻和刻蚀工艺去除EEPROM低压区的多晶硅和高压栅氧化层；

第5步，在EEPROM的低压区生长一层低压栅氧化层。

2.根据权利要求1所述的EEPROM中调节隔离结构高度的方法，其特征是，所述高压区的隔离结构和低压区的隔离结构均为二氧化硅材料。

3.根据权利要求1所述的EEPROM中调节隔离结构高度的方法，其特征是，所述方法第4步中，先在硅片表面旋涂光刻胶，曝光、显影后暴露出EEPROM的低压区，而高压区则仍被光刻胶所覆盖；接着采用干法等离子体刻蚀工艺去除低压区的多晶硅；再采用湿法腐蚀工艺去除低压区的高压栅氧化层；最后去除覆盖在高压区多晶硅上方的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的EEPROM中调节隔离结构高度的方法，其特征是，所述方法第4步中，湿法腐蚀工艺同时作用于低压区的隔离结构，使低压区的隔离结构也被部分刻蚀而导致高度降低。