[发明专利]N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法

权利要求书

1.一种N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在一N型硅衬底上形成N型漏区以及N型硅外延层，在所述N型外延层上刻蚀出V型槽或锥形孔；

步骤二、淀积三层多晶硅填满所述V型槽或锥形孔，其中所述第二层多晶硅淀积后，进行P型杂质的注入，注入后所述N型外延层中的P型杂质总量与N型杂质总量相等，所述三层多晶硅淀积完成后，对所述衬底表面进行研磨平整化；

步骤三、对所述注入的P型杂质进行退火推进，形成所述多晶硅P型柱；

步骤四、形成所述N型超结VDMOS的源区、栅极以及源、漏和栅极的金属接触。

2.如权利要求1所述的N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法，其特征在于：步骤一中所述N型外延层的杂质体浓度为1E14～1E15cm^-3。

3.如权利要求1所述的N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法，其特征在于：步骤一中所述V型槽或锥形孔采用各向异性刻蚀形成，开口张角为15°～30°，开口宽度为2～5μm，槽间距为10μm，槽深度比外延层厚度浅0～10μm。

4.如权利要求1所述的N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法，其特征在于：步骤二中所述P型杂质注入的杂质为硼、注入能量为1000keV～2000keV，剂量为1E12～1E13cm^-2。

5.如权利要求1所述的N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法，其特征在于：步骤三中所述退火推进的温度为800～1000℃，时间为30分钟～3小时。