[发明专利]具有屏蔽栅的功率MOS器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种具有屏蔽栅的功率MOS器件结构，其特征在于：在沟槽底部下方外延层内有底部离子注入区，所述底部离子注入区的掺杂类型与体区相同，掺杂浓度比所述外延层的掺杂浓度要高，且所述底部离子注入区与源极形成电连接。

2.一种权利要求1所述的具有屏蔽栅的功率MOS器件的制备方法，其特征在于：

先对硅衬底进行深阱离子注入，而在深阱注入前的光刻工艺中，去除预设接触注入区位置处的光刻胶，而后进行深阱的注入，深阱的深度比沟槽深，且位于外延层内，所述深阱的导电类型与外延层相反；

在刻蚀硅衬底形成沟槽之后，进行离子注入在沟槽底部下方的外延层内形成底部离子注入区，所注入的离子导电类型与体区的导电类型相同，掺杂浓度比所述外延层的掺杂浓度要高；

之后采用光刻工艺定义出接触注入区的图形，而后再次进行相同掺杂类型的离子注入，在位于深阱上的部分沟槽内壁的表面和硅衬底平面的表面形成接触注入区，以形成欧姆接触，所述接触注入区用于后续工艺中通过接触孔工艺将所述底部离子注入区和源区进行电连接；

而在后面源区的注入工艺中，采用光刻胶保护接触注入区位置处的硅表面。

3.根据权利要求2所述的具有屏蔽栅的功率MOS器件的制备方法，其特征在于：所述形成底部离子注入区之后，还包括退火处理来推进所形成的底部离子注入区。

4.根据权利要求2所述的具有屏蔽栅的功率MOS器件的制备方法，其特征在于：所述形成深阱的步骤中，所注入的离子剂量为10¹²～10¹⁴原子/cm²，注入能量：10～2000KeV。

5.根据权利要求2或3所述的具有屏蔽栅的功率MOS器件的制备方法，其特征在于：所述形成底部离子注入区的步骤中，所注入的离子剂量为10¹²～10¹⁴原子/cm²，注入能量：1～2000KeV。

6.根据权利要求2或3所述的具有屏蔽栅的功率MOS器件的制备方法，其特征在于：所述形成接触注入区的步骤中，所注入的离子剂量为10¹⁴～10¹⁶原子/cm²，注入能量：10～200KeV。