[发明专利]SRAM的版图结构及其制造方法

权利要求书

1.一种SRAM的版图结构，其特征是，包括有源区、第一层多晶硅、第二层多晶硅、接触孔电极和金属连线；

所述SRAM单元划分为CMOS1和CMOS2；其中CMOS1由晶体管PMOS1和NMOS1组成，CMOS2由晶体管PMOS2和NMOS2组成；

晶体管PMOS1的漏极和NMOS1的漏极通过第二层多晶硅相连接，晶体管PMOS2的漏极和NMOS2的漏极也通过第二层多晶硅相连接；

CMOS1的栅极、PMOS2的漏极、NMOS2的漏极通过金属连线相连接；CMOS2的栅极、PMOS1的漏极、NMOS1的漏极通过金属连线相连接。

2.如权利要求1所述的SRAM的版图结构的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

初始状态：硅衬底上具有多晶硅栅极，多晶硅栅极上覆盖有氮化硅阻挡层，多晶硅栅极两侧具有氮化硅侧墙；

所述多晶硅栅极为第一层多晶硅；

第1步，在硅片表面淀积一层多晶硅，该层多晶硅为第二层多晶硅；刻蚀该第二层多晶硅，使该第二层多晶硅连接晶体管PMOS1的漏极和NMOS1的漏极，还使该第二层多晶硅连接晶体管PMOS2的漏极和NMOS2的漏极；

第2步，在硅片表面淀积一层层间介质，在该层间介质和/或氮化硅阻挡层中刻蚀通孔，并在所述通孔中填充金属形成接触孔电极；

第3步，在层间介质之上淀积一层金属薄膜，并刻蚀成金属连线，金属连线连接CMOS1的栅极、PMOS2的漏极和NMOS2的漏极，还连接CMOS2的栅极、PMOS1的漏极和NMOS1的漏极。