[发明专利]高压隔离型LDNMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压隔离型LDNMOS器件，其特征在于，包括：一P型衬底，衬底电极通过形成于衬底中的低压P阱再做P+欧姆接触引出，所述衬底电极形成隔离环；

一深N阱，所述深N阱电极通过低压N阱一做N+欧姆接触引出；

一沟道区，由形成于所述深N阱中的高压P阱一组成，通过一P+欧姆接触引出沟道电极；

一源区，由形成于所述沟道区中N+掺杂区组成，直接做欧姆接触引出源极；

一漏区，由形成于所述深N阱中的低压N阱二中的N+掺杂区组成，直接形成欧姆接触引出漏极；

在所述漏区和沟道区之间的所述深N阱中形成有浅沟槽隔离场氧化层，所述浅沟槽隔离场氧化层和所述漏区相连、和所述沟道区相隔一定距离，在所述浅沟槽隔离场氧化层下的深N阱中形成有高压P阱二和低压N阱三，所述高压P阱二的深度大于所述低压N阱三的深度、所述低压N阱三重叠在所述高压P阱二的上部，所述高压P阱二和低压N阱三的顶部和所述浅沟槽隔离场氧化层的底部相连；

所述漏区和所述沟道区间的深N阱、低压N阱二、低压N阱三以及高压P阱二组成器件的漂移区；

一多晶硅栅，形成于所述沟道区上，一端和所述源区邻接、另一端延伸在部分所述浅沟槽隔离场氧化层上，覆盖了源区和漏区间的所述沟道区、部分所述漂移区和部分所述浅沟槽隔离场氧化层，所述多晶硅栅通过栅氧化层和所述沟道区、部分所述漂移区隔离。

2.如权利要求1所述的高压隔离型LDNMOS器件，其特征在于：所述高压深N阱的掺杂离子为磷离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为2000KeV，并随后进行温度为1000℃～1200℃、时间为数小时的高温退火；所述高压P阱一和二的掺杂离子为硼离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为100～200KeV，并随后进行温度为1000℃～1200℃、时间为数小时的高温退火。所述低压N阱一、二、三的掺杂离子为磷离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为200～500KeV。

3.一种如权利要求1所述的高压隔离型LDNMOS器件的制造方法，其特征在于：

形成深N阱，采用注入工艺在一P型衬底上；

形成沟道区，采用高压P阱工艺在所述深N阱中形成高压P阱一，所述高压P阱一作为器件的沟道区；在形成所述高压P阱一的同时在所述深N阱中形成高压P阱二，该高压P阱二形成在所述沟道区和漏区间的浅沟槽隔离场氧化层位置下；

制作浅沟槽隔离，并在所述浅沟槽中填入浅沟槽隔离场氧化层；

采用低压N阱工艺在所述深N阱中形成低压N阱二，同时在所述深N阱中形成低压N阱一以及在所述高压P阱二中形成低压N阱三；

在所述P型衬底上形成低压P阱；

形成栅氧化层以及多晶硅栅，所述栅氧化层和多晶硅栅形成在所述沟道区上并延伸到所述沟道区和漏区间的浅沟槽隔离场氧化层上；

在所述低压N阱二中进行N+掺杂形成漏区；在所述沟道区中进行N+掺杂形成源区；

在低压P阱中引出衬底电极、在沟道区中引出沟道电极、在所述低压N阱一中引出深N阱电极，在源区和漏区上分别引出源极和漏极。

4.如权利要求3所示的隔离型LDNMOS器件的制造方法，其特征在于：所述高压深N阱的掺杂离子为磷离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为2000KeV，并随后进行温度为1000℃～1200℃、时间为数小时的高温退火；所述高压P阱一和二的掺杂离子为硼离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为100～200KeV，并随后进行温度为1000℃～1200℃、时间为数小时的高温退火。所示低压N阱一、二、三的掺杂离子为磷离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为200～500KeV。