[发明专利]一种横向功率器件版图结构无效
| 申请号： | 201010028145.4 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101771084A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 乔明;胡曦;罗波;叶俊;蒋苓利;傅达平;段双亮;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 功率 器件 版图 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种横向功率器件版图结构，包括源电极(1)、栅电极(2)、轻掺杂漂移区(3)和 漏电极(4)；其特征在于：横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有 相同的结构，由内向外依次是漏电极(4)、轻掺杂漂移区(3)、栅电极(2)和源电极(1)， 且漏电极(4)被轻掺杂漂移区(3)所包围，轻掺杂漂移区(3)被栅电极(2)所包围，栅 电极(2)被源电极(1)所包围；每个元胞的源电极(1)、栅电极(2)、轻掺杂漂移区(3) 和漏电极(4)以及整个元胞的横截面形状相同，为圆形或n边形，其中n≥3；相邻两个 元胞共用源电极，每个元胞拥有自己独立的栅电极、漂移区、漏电极。
2.根据权利要求1所述的横向功率器件版图结构，其特征在于：每个元胞的轻掺杂漂移 区(3)与漏电极(4)之间具有缓冲层(5)。
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