[发明专利]在非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法

权利要求书

1.在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法按以下步骤实现：一、取基片进行表面清洗，然后烘干，再采用磁控溅射的方式在基片上溅射Al膜，然后在氩气保护及500～700℃下热处理1～2h，得镀有Al膜的基片；二、以镀有Al膜的基片为阳极，不锈钢片为阴极，草酸溶液为电解液进行阳极氧化，即完成非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备；其中步骤一中基片为陶瓷基片或玻璃基片；步骤一中Al膜的质量纯度为99.99％；步骤一中磁控溅射的条件：氩气流量为14.0～20.0，压强为0.5～1Pa，电压为180～220V，电流为0.15～0.28A，镀膜时间为3～7h，在磁控溅射过程中基片需加热，温度为500～700℃；步骤二中阳极氧化条件：阴阳极间距为3cm，电解液浓度为0.035～2g/L，电解液温度为0℃，电源为直流稳压稳流源，电压恒定在240V，阳极氧化时间为6～12h，阳极氧化过程中一直对电解液进行磁力搅拌。

2.根据权利要求1所述的在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于步骤一中清洗是采用丙酮或酒精进行超声清洗，然后用去离子水超声清洗。

3.根据权利要求1所述的在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于步骤一中镀膜时间为5h。

4.根据权利要求1所述的在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于步骤一中镀膜时间为6h。

5.根据权利要求1所述的在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于步骤一中镀膜时间为7h。

6.根据权利要求3、4或5所述的在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于步骤一中在氩气保扩及600℃下热处理1.5h。

7.根据权利要求6所述的在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于步骤二中电解液浓度为0.05～1.5g/L。

8.根据权利要求6所述的在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于步骤二中电解液浓度为0.5g/L。

9.根据权利要求7或8所述的在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于步骤二中阳极氧化时间为8h。

10.根据权利要求7或8所述的在非铝基底上电化学定向生长多孔Al₂O₃膜的制备方法，其特征在于步骤二中阳极氧化时间为10h。