[发明专利]一种用铝膜包覆提纯金属硅的方法有效
| 申请号： | 201010040050.4 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101786628A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 余学功;顾鑫;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用铝膜包覆 提纯 金属硅 方法 | ||
1.一种用铝膜包覆提纯金属硅的方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)将金属硅去油、洗净；
2)将步骤1)的产物加入到氢氧化铝胶体中，其中氢氧化铝与硅 的质量比为2∶1，混匀，干燥，在金属硅表面人为形成均匀的铝膜；
3)将步骤2)的产物在水煤气气氛中加热至800～1000℃，保温 2～5h；降温至650～750℃，保温1～3h；冷却至室温；
4)将步骤3)的产物取出，用质量百分比浓度为5％～20％的盐酸 和质量百分比浓度为1％～10％的氢氟酸按体积比1∶1浸泡1～5个小时，用 去离子水清洗干净。
2.如权利要求1所述的用铝膜包覆提纯金属硅的方法，其特征在于： 所述的金属硅的粒径大小为0.05mm～10mm。
3.如权利要求1所述的用铝膜包覆提纯金属硅的方法，其特征在于： 步骤1)所述的干燥温度是60～100℃。
4.如权利要求1所述的用铝膜包覆提纯金属硅的方法，其特征在于： 将步骤2)的产物在水煤气气氛中加热至900℃，保温4h；降温至700℃， 保温2h；冷却至室温。
5.如权利要求1所述的用铝膜包覆提纯金属硅的方法，其特征在于： 将步骤3)的产物取出，用质量百分比浓度为5％～9％的盐酸和质量百分比 浓度为1％～5％的氢氟酸按体积比1∶1浸泡1～5个小时，用去离子水清洗干 净。
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