[发明专利]NMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构

权利要求书

1.一种NMOS场效应晶体管辅助触发的互补型可控硅(SCR)结构， 包括：

第一可控硅(SCR1)，由第一双极型晶体管(30)和第二双极型晶体 管(31)构成，其中第一双极型晶体管(30)的发射极接正电源线(VDD)， 第二双极型晶体管(31)的发射极接需保护的芯片引脚(IN)；

第二可控硅(SCR2)，由第三双极型晶体管(32)和第四双极型晶体 管(33)构成，其中第三双极型晶体管(32)的发射极接所述的需保护的 芯片引脚(IN)，第四双极型晶体管(33)的发射极接负电源线(VSS)；

其特征在于，设有NMOS场效应晶体管(38)，NMOS场效应晶体管 (38)的漏极接入第一双极型晶体管(30)及第三双极型晶体管(32)的 基极，NMOS场效应晶体管(38)的源极、栅极和衬底相连接，且接入第 二双极型晶体管(31)和第四双极型晶体管(33)的基极；

所述的第一双极型晶体管(30)的基极与第二双极型晶体管(31)的 集电极相连；

所述的第一双极型晶体管(30)的集电极与第二双极型晶体管(31) 的基极相连；

所述的第三双极型晶体管(32)的基极与第四双极型晶体管(33)的 集电极相连；

所述的第三双极型晶体管(32)的集电极与第四双极型晶体管(33) 的基极相连；

所述的第一双极型晶体管(30)的基极和第三双极型晶体管(32)的 基极通过N阱电阻接入正电源线(VDD)；

所述的第二双极型晶体管(31)的基极和第四双极型晶体管(33)的 基极通过P阱电阻接入负电源线(VSS)。

2.如权利要求1所述的互补型可控硅(SCR)结构，其特征在于， 所述的第一双极型晶体管(30)及第三双极型晶体管(32)共用一个N阱 (48)。

3.如权利要求2所述的互补型可控硅(SCR)结构，其特征在于， 所述的第一可控硅(SCR1)和第二可控硅(SCR2)的版图结构如下：

衬底上依次相邻的布置有第一P阱(47a)、所述N阱(48)和第二P 阱(47b)，从第一P阱(47a)至第二P阱(47b)方向依次布置有：

第一P+注入有源区，位于第一P阱(47a)内且被划分为连接负电源 线(VSS)的第一区域(40a)和连接NMOS场效应晶体管(38)的源极 的第二区域(40b)；

第一N+注入有源区(41)，位于第一P阱(47a)内，接入需保护的 芯片引脚(IN)；

第二P+注入有源区(42)，位于所述N阱(48)内，接正电源线(VDD)；

第二N+注入有源区，位于所述N阱(48)内且被划分为连接正电源 线(VDD)的第一区域(43a)和连接NMOS场效应晶体管(38)的漏极 的第二区域(43b)；

第三P+注入有源区(44)，位于所述N阱(48)内，接入需保护的芯 片引脚(IN)；

第三N+注入有源区(45)，位于第二P阱(47b)内，接负电源线(VSS)；

第四P+注入有源区，位于第二P阱(47b)内且被划分为连接负电源 线(VSS)的第一区域(46a)和连接NMOS场效应晶体管(38)的源极 的第二区域(46b)。

4.如权利要求2所述的互补型可控硅(SCR)结构，其特征在于， 所述的第一可控硅(SCR1)和第二可控硅(SCR2)的版图结构如下：

衬底上依次相邻的布置有第一P阱(47a)、所述N阱(48)和第二P 阱(47b)，从第一P阱(47a)至第二P阱(47b)方向依次布置有：

第一P+注入有源区，位于第一P阱(47a)内且被划分为连接负电源 线(VSS)的第一区域(40a)和连接NMOS场效应晶体管(38)的源极 的第二区域(40b)；

第一N+注入有源区(41)，位于第一P阱(47a)内且被划分为连接 需保护的芯片引脚(IN)的第一区域(41a)和连接负电源线(VSS)的 第二区域(41b)；

第二P+注入有源区(42)，位于所述N阱(48)内且被划分为连接正 电源线(VDD)的第一区域(42a)和连接需保护的芯片引脚(IN)的第 二区域(42b)；

第二N+注入有源区，位于所述N阱(48)内且被划分为连接正电源 线(VDD)的第一区域(43a)和连接NMOS场效应晶体管(38)的漏极 的第二区域(43b)；

第三P+注入有源区(44)，位于所述N阱(48)内且被划分为连接需 保护的芯片引脚(IN)的第一区域(44a)和连接正电源线(VDD)的第 二区域(44b)；

第三N+注入有源区(45)，位于第二P阱(47b)内且被划分为连接 负电源线(VSS)的第一区域(45a)和连接需保护的芯片引脚(IN)的 第二区域(45b)；

第四P+注入有源区，位于第二P阱(47b)内且被划分为连接负电源 线(VSS)的第一区域(46a)和连接NMOS场效应晶体管(38)的源极 的第二区域(46b)。