[发明专利]一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法，包括如下步骤：

1)在衬底上通过浅槽隔离定义有源区，然后依次生长栅介质、淀积多晶硅，并进行多晶硅栅注入；

2)在多晶硅栅上淀积并刻蚀硬介质I，定义沟道区，再淀积硬介质II，并以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光硬介质II，其中硬介质I和硬介质II是不同的材料，可以通过不同的化学试剂进行选择性腐蚀；

3)在硬介质I和II掩膜上涂光刻胶，在即将形成漏区的区域上方光刻定义一通孔，通过该通孔湿法腐蚀去掉该区域上方的硬介质II，再去掉光刻胶，随后各向异性刻蚀去掉该区域上方的多晶硅，进行n型离子掺杂注入形成器件的漏区；

4)覆盖漏区淀积硬介质II，并以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光硬介质II，形成保护漏区的硬掩膜；

5)在硬介质I和II掩膜上涂光刻胶，在即将形成源区的区域上方光刻定义一通孔，通过该通孔湿法腐蚀去掉该区域上方的硬介质II，再去掉光刻胶，随后各向异性刻蚀去掉该区域上方的多晶硅，进行p型离子掺杂注入形成器件的源区；

6)覆盖源区淀积硬介质II，并以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光硬介质II，形成保护源区的硬掩膜；

7)退火激活杂质，完成晶体管制作的后道工序。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬介质I是氮化硅，硬介质II是氧化硅；或者硬介质I是氧化硅，硬介质II是氮化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相淀积法淀积硬介质I和硬介质II。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤6)和7)之间增加下述步骤：通过湿法腐蚀去除沟道区上方的硬介质I，再在此区域淀积硬介质II并平坦化，形成保护整个有源区的硬介质II掩膜。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中通过干氧氧化法生长一层氧化硅作为栅介质，在栅介质上采用化学气相沉积淀积多晶硅。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中定义沟道区的具体步骤是：淀积硬介质I并在其上涂一层光刻胶，光刻定义沟道区，然后通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到硬介质I掩膜上，随后去掉光刻胶。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬介质II是氧化硅，在所述步骤3)和5)中采用氢氟酸湿法腐蚀去掉硬介质II。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4)和6)中采用等离子体增强化学气相沉积法淀积硬介质II。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤7)在氮气中快速热退火激活杂质。