[发明专利]感测放大器和使用感测放大器的半导体集成电路无效

专利信息
申请号: 201010100865.7 申请日: 2010-01-26
公开(公告)号: CN101937701A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 文眞永 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C17/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;黄启行
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 放大器 使用 半导体 集成电路
【权利要求书】:

1.一种感测放大器,包括:

反相器对,所述反相器对的任一个输入端电连接到位线,而另一个输入端端电连接到/位线;和

控制器,配置为响应于第一控制信号,将所述位线和所述/位线预充电到与所述反相器对的偏移相应的电平,以及响应于第二控制信号,通过将所述反相器对的输出端电连接到位线对,利用所述反相器对来感测所述位线和所述/位线的电压差。

2.根据权利要求1所述的感测放大器,其中,所述感测放大器配置为通过使用用于驱动所述反相器对的电源电压,对所述位线和所述/位线进行预充电。

3.根据权利要求1所述的感测放大器,其中,所述第一控制信号包括在字线驱动信号的激活之前产生的脉冲信号。

4.根据权利要求1所述的感测放大器,其中,所述第一控制信号包括位线均衡信号。

5.根据权利要求1所述的感测放大器,其中,所述第二控制信号包括字线驱动信号。

6.根据权利要求1所述的感测放大器,其中,所述第二控制信号包括将字线驱动信号延迟一设置时间的信号。

7.一种感测放大器,包括:

第一反相器和第二反相器,电耦合到位线和/位线,所述第一反相器和所述第二反相器交叉耦合在一起以形成锁存器;

第一晶体管,配置为响应于第一控制信号,将所述第一反相器的输入端连接到所述第一反相器的输出端;

第二晶体管,配置为响应于所述第一控制信号,将所述第二反相器的输入端连接到所述第二反相器的输出端;

第三晶体管,配置为响应于第二控制信号,将所述第一反相器的输出端连接到所述位线;以及

第四晶体管,配置为响应于所述第二控制信号,将所述第二反相器的输出端连接到所述/位线。

8.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,所述第一控制信号包括位线均衡信号。

9.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,所述第二控制信号包括字线驱动信号。

10.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,所述第一至第四晶体管构成控制器。

11.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,所述第一反相器包括:

第五晶体管,具有耦合到电源电压的源极和耦合到所述第一晶体管的栅极;以及

第六晶体管,具有耦合到接地电压的漏极,耦合到所述第三晶体管的栅极和耦合到所述第五晶体管的漏极的源极。

12.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,所述第二反相器包括:

第七晶体管,具有耦合到电源电压的源极和耦合到所述第二晶体管的栅极;以及

第八晶体管,具有耦合到接地电压的漏极,耦合到所述第四晶体管的栅极和耦合到所述第七晶体管的漏极的源极。

13.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,所述第一控制信号是在激活字线的设置时间之前产生的脉冲信号。

14.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,所述第二控制信号是将字线驱动信号延迟预定的设置时间的信号。

15.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,在所述第一控制信号的高电平时间间隔内,所述第一晶体管和第二晶体管处于导通状态,而第三晶体管和第四晶体管处于断开状态。

16.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,当所述第一反相器的输出端和输入端短接在一起并且所述第一反相器的输入端电连接到所述/位线时,第一反相器的输出端与所述位线电分离,其中,反映所述第一反相器的偏移的电压电平被存储在所述/位线的有效电容器中,以对所述/位线预充电。

17.根据权利要求7所述的感测放大器,其中,当所述第二反相器的输出端和输入端短接在一起并且所述第二反相器的输入端电连接到所述位线时,第二反相器的输出端与所述/位线电分离,其中,反映所述第二反相器的偏移的电压电平被存储在所述位线的有效电容器中,以对所述位线预充电。

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