[发明专利]圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法

权利要求书

1.一种圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，利用Si微加工工艺在硅圆片(1)上刻蚀特定的硅微流道浅槽图案，

第二步，在硅微流道浅槽两端或特定的位置局部放置适量的高温释气剂(3)，

第三步，将上述硅圆片(1)与Pyrex7740玻璃圆片(2)在空气或真空中阳 极键合，使硅圆片上的上述浅槽形成密封腔体(4)，

第四步，将上述键合好的圆片在空气中加热至810℃～890℃，保温5～10min， 高温释气剂因受热放出气体，产生正压力使得密封腔体(4)对应的熔融玻璃变 形而在玻璃上形成与硅微流道浅槽图案对应的微流道图案，冷却，获得圆片级玻 璃微流道(5)，

将上述微流道的两端利用激光划片方法去除，激光划片方法的具体步骤为： 首先在硅圆片上用激光刻蚀划片槽，然后再弯曲键合后的圆片使圆片因硅圆片受 拉而断裂，从而形成微流道的入口和出口，同时去除高温释气剂残留物。

2.根据权利要求1所述的圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法，其特征在于 高温释气剂为碳酸钙粉末。

3.根据权利要求1所述的圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法，其特征在于 所述硅圆片上浅槽的微加工工艺为湿法腐蚀工艺。

4.根据权利要求1所述的圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法，其特征在于 所述硅圆片与Pyrex7740玻璃圆片的阳极键合工艺条件为：温度400℃，电压： 600V。

5.根据权利要求1所述的圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法，其特征在于， 第四步中的加热温度为840℃～850℃。

6.根据权利要求1所述的圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法，其特征在于 将第四步所得到的微流道进行热退火，工艺条件为：退火温度范围在510℃ ～560℃中，退火保温时间为30min，然后缓慢风冷至常温。

7.根据权利要求1所述的圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法，其特征在于 第二步中硅圆片与Pyrex7740玻璃圆片按照阳极键合的工艺要求进行必要的清 洗和抛光。

8.根据权利要求1所述的圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法，其特征在于 第一步刻蚀的浅槽的深度为50-100微米。

9.根据权利要求1所述的圆片级玻璃微流道的正压热成型制造方法，其特征在于 第三步中硅圆片与Pyrex7740玻璃圆片的键合是在空气中进行的。