[发明专利]共享字线的分栅式闪存制造方法

权利要求书

1.一种共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一半导体衬底，并依次沉积二氧化硅层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；

对所述氮化硅层进行干法刻蚀直至露出所述浮栅多晶硅层，形成多个凹槽；

对所述凹槽内的浮栅多晶硅层进行干法刻蚀，形成浮栅斜面；

在上述结构表面沉积一层均匀氧化物并对其进行干法刻蚀露出所述氮化硅 层顶部和部分所述浮栅多晶硅层，在所述凹槽侧壁形成侧墙氧化物；

在上述结构表面沉积隔离氧化物；

在上述结构表面沉积控制栅多晶硅层；

对所述控制栅多晶硅层和隔离氧化物进行干法刻蚀，直至露出所述氮化硅 层顶部和凹槽底部的部分浮栅多晶硅层；

对所述露出的浮栅多晶硅层进行干法刻蚀，并进一步湿法刻蚀其下的二氧 化硅层，直至露出所述半导体衬底；

对凹槽底部的半导体衬底进行离子注入，形成位线；

在上述结构表面沉积高密度等离子体氧化物并对其进行研磨，直至露出所 述氮化硅层顶部；

湿法刻蚀去除所述氮化硅层，并进一步利用干法刻蚀去除露出的浮栅多晶 硅层和湿法刻蚀去除二氧化硅层，直至露出半导体衬底；

在上述结构上沉积隧穿氧化物层和字线多晶硅；

对所述字线多晶硅进行研磨露出所述高密度等离子体氧化物；

所述浮栅多晶硅层经过该方法制造得到的浮栅靠近字线的一端具有尖端结 构，其与所述字线形成自对准结构。

2.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于， 所述二氧化硅层的厚度为大于等于100埃。

3.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于， 所述浮栅多晶硅层的厚度为600～800埃。

4.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于， 所述氮化硅层的厚度为4000～5000埃。

5.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于， 所述均匀氧化物的厚度为200～500埃。

6.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于， 所述隔离氧化物的厚度为大于等于100埃。

7.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于， 所述控制栅多晶硅层的厚度为500～1000埃。

8.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于， 所述高密度等离子体氧化物的厚度为2000～5000埃。

9.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于， 所述隧穿氧化物层的厚度为100～200埃。

10.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于， 所述字线多晶硅的厚度为1500～3000埃。