[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及对平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板、半导体集成 电路(IC)制造用的半导体晶片等被处理体实施等离子体处理的等离 子体处理装置。

背景技术

在FPD或IC的制造工序中，使用对玻璃基板、半导体晶片等被处 理体实施蚀刻等处理的等离子体处理装置。作为实施蚀刻等处理的等 离子体处理装置，例如熟知有等离子体干式蚀刻装置。

控制处理气体、高频输出的装置控制器与等离子体干式蚀刻装置 连接。装置控制器根据被称为处理方案的规定的处理条件，控制处理 气体的流量、高频输出、处理时间和处理压力等。由此，进行等离子 体处理装置对被处理体的蚀刻等规定的处理。

在实施规定的处理时发生处理异常等的情况下，例如，如专利文 献1所述，中断对被处理体的处理。中断后，操作者进行方案的修正 等必要的操作，之后再实施对被处理体的处理。

专利文献1：日本特开2007-234809号公报

如专利文献1所记载，在实施规定的处理时，在发生处理异常等 的情况下中断处理。因此，可能导致产品的生产率降低。

发明内容

本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供即使在发生处理异 常等的情况下，也能够抑制生产率的降低的等离子体处理装置。

为了解决上述课题，本发明的一个方面的等离子体处理装置，设 置有根据处理条件对被处理体进行等离子体处理的处理室，该等离子 体处理装置包括：存储有与上述处理条件不同的多个再处理条件的存 储部；和控制系统，其具有监视上述等离子体处理中有无发生异常的 监视功能和判定发生的异常的种类的判定功能，在上述等离子体处理 中发生了异常的情况下，根据所判定的异常的种类，从上述多个再处 理条件中选择一个再处理条件，对上述被处理体进行再处理。

发明效果

根据本发明，能够提供一种即使在发生处理异常等的情况下也能 够抑制生产率的降低的等离子体处理装置。

附图说明

图1是概略地表示本发明的一实施方式的等离子体处理装置的一 个例子的截面图。

图2是概略地表示控制图1所示的等离子体处理装置1的控制系 统的框图。

图3是表示一实施方式的等离子体处理装置所具有的装置控制器 所实施的基板处理方法的一个例子的流程图。

图4是表示处理条件变更的例子的图。

图5是表示一实施方式的等离子体处理装置进行的基板处理的顺 序的一个例子的流程图。

图6A是表示被正常处理的玻璃基板G的每个处理经过时间的处 理信息的图，图6B是表示发生异常的玻璃基板G的每个处理经过时 间的处理信息的图。

图7是表示放电电平与时间的关系的图。

符号说明

2…处理室(处理室)

5…基材(下部电极)

5a…凸部

5b…凸缘部

6…聚焦环

13…匹配器

14…高频电源

27…质量流量控制器

30…排气装置

50…装置控制器

51…终点检测器

42…高频产生装置

具体实施方式

以下参照附图，对本发明的实施方式进行说明。

图1是概略地表示本发明一实施方式的等离子体处理装置的一个 例子的截面图。

图1所示的等离子体处理装置1是对FPD制造用的玻璃基板G进 行规定处理的装置的一个例子，在本例中，构成为电容耦合型等离子 体干式蚀刻装置。作为FPD，能够列举液晶显示器(LCD)、电致发光 (Electro Luminescence；EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。

等离子体处理装置1具有处理室(等离子体处理室)2，该处理室 2例如成形为由表面经过防蚀铝处理(阳极氧化处理)的铝构成的角筒 形状。在处理室2内的底部配置有用于载置作为被处理体的玻璃基板G 的载置台3。