[发明专利]半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置

权利要求书

1.一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序；

将第二半导体激光元件基板贴合在具有所述第一槽的所述表面上的工序；和

之后，为了在所述第一半导体激光元件基板和所述第二半导体激光元件基板上形成劈开面，至少沿所述第一槽劈开所述第一半导体激光元件基板和所述第二半导体激光元件基板的工序。

2.如权利要求1所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第一半导体激光元件基板的工序，包括在除所述第一半导体激光元件基板的导波通路及其附近之外的区域中以虚线状形成所述第一槽的工序。

3.如权利要求2所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第一半导体激光元件基板的工序，包括在与所述导波通路的延伸方向大致正交的方向上形成所述第一槽的工序。

4.如权利要求2所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

所述第一半导体激光元件基板包括第一基板和在所述第一基板的表面上形成的第一半导体元件层，

形成所述第一半导体激光元件基板的工序，包括形成具有从所述第一半导体元件层的表面至到达所述第一基板为止的深度的所述第一槽的工序。

5.如权利要求2所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第一半导体激光元件基板的工序，包括从平面观察以所述第一槽的至少一方的端部具有楔状的方式形成所述第一槽的工序。

6.如权利要求1所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

在贴合所述第二半导体激光元件基板的工序后，进一步包括从平面观察在与形成有所述第一槽的区域重合的位置上的所述第二半导体激光元件基板上形成第二槽的工序，

沿所述第一槽劈开的工序，包括沿着所述第一槽和所述第二槽同时劈开所述第一半导体激光元件基板和所述第二半导体激光元件基板的工序。

7.如权利要求6所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第二槽的工序，包括在与所述第一半导体激光元件基板相反侧的所述第二半导体激光元件基板的表面形成所述第二槽的工序。

8.如权利要求6所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第二槽的工序，包括在所述第二半导体激光元件基板的端部附近形成所述第二槽的工序。

9.如权利要求6所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第二槽的工序，包括在所述第二半导体激光元件基板上以虚线状形成所述第二槽的工序。

10.如权利要求1所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

在沿所述第一槽劈开的工序后，进一步包括将由所述第二半导体激光元件基板的一部分构成的不要的区域除去的工序。

11.如权利要求10所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

除去所述不要的区域的工序，包括将相互贴合的所述第一半导体激光元件基板和所述第二半导体激光元件基板以芯片状进行元件分割时，同时将所述不要的区域除去的工序。

12.如权利要求10所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

在将所述不要的区域除去的工序前，进一步包括在劈开面上形成保护膜的工序。

13.如权利要求10所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

在贴合所述第二半导体激光元件基板的工序后，进一步包括从平面观察在与形成有所述第一槽的区域重合的位置上的所述第二半导体激光元件基板上形成第二槽的工序，

形成所述第二槽的工序包括在所述不要的区域上形成所述第二槽的工序。

14.如权利要求10所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

在将所述不要的区域除去的工序之前，进一步包括：

在所述第一半导体激光元件基板上形成第一元件分割槽的工序；和

在所述第二半导体激光元件基板的表面上形成用于将所述不要的区域除去的第二元件分割槽的工序。