[发明专利]半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置，特别涉及将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件贴合的半导体激光元件的制造方法和半导体激光元件。

背景技术

现在，已知有将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件贴合的半导体激光元件的制造方法。这样的半导体激光元件，例如在日本特开2005-327905号公报中公开。

上述日本特开2005-327905号公报中，公开有一种半导体发光装置(半导体激光元件)，该半导体发光装置具有：在支撑基体上贴合的第一发光元件；和在第一发光元件的半导体层的表面贴合的、形成有第一元件和第二元件的第二发光元件。该日本特开2005-327905号公报中记载的半导体发光装置，在与第一元件的发光点和第二元件的发光点相对的第一发光元件的半导体层上，分别设置有切口槽。通过这一对切口槽，来自第一元件的发光点和第二元件的发光点的光，在第一发光元件的半导体层反射，由此能够抑制在不需要的方向上放射。其中，该半导体发光装置的制造方法中，通过将预先芯片化后的第一发光元件和第二发光元件贴合，形成半导体发光装置。

但是，在上述日本特开2005-327905号公报中所公开的半导体发光装置中，因为是将预先芯片化后的第一发光元件和第二发光元件贴合，所以存在难以将第一发光元件的共振器面(光射出面)和第二发光元件的共振器面对齐在同一平面上的问题。

发明内容

本发明的第一方面的半导体激光元件的制造方法，包括：形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序；将第二半导体激光元件基板贴合在具有第一槽的表面上的工序；和之后为了在第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板上形成劈开面(解理面)，至少沿第一槽劈开(解理)第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板的工序。

在本发明的第一方面的半导体激光元件的制造方法中，如上所述，包括在具有第一槽的表面上贴合第二半导体激光元件基板的工序，和之后至少沿第一槽劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板的工序，由此，在第一半导体激光元件基板的具有第一槽的表面一侧上贴合有第二半导体激光元件基板的状态下，同时劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板，所以能够在第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板上同时形成由劈开面构成的共振器面。由此，能够容易地将第一半导体激光元件基板的共振器面和第二半导体激光元件基板的共振器面对齐在同一平面上。其中，“第一半导体激光元件基板”和“第二半导体激光元件基板”，分别表示半导体激光元件分割前的状态，包括在基板上没有形成半导体元件层的状态下的基板和在基板上形成有半导体元件层的状态下的基板这两者。

在上述第一方面的半导体激光元件的制造方法中，优选形成表面具有第一槽的第一半导体激光元件基板的工序，包括在除第一半导体激光元件基板的导波通路及其附近外的区域中以虚线状形成第一槽的工序。根据这样的方案，第一槽形成在远离作为发光部的第一半导体激光元件基板的导波通路及其附近的区域的位置，所以即使在形成第一槽的情况下，也能够抑制第一半导体激光元件基板的导波通路受到损伤。此外，能够以在除第一半导体激光元件基板的导波通路及其附近外的大致整个区域上延伸的方式形成第一槽，所以能够更加可靠地劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板。

在上述包括以虚线状形成第一槽的工序的方案中，优选形成第一半导体激光元件基板的工序，包括在与导波通路延伸方向大致正交的方向上形成第一槽的工序。根据这样的方案，通过第一槽，能够沿与导波通路延伸方向大致正交的方向上劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板，所以能够容易地形成对于导波通路大致垂直的劈开面所构成的共振器面。

在上述包括以虚线状形成第一槽的工序的方案中，优选第一半导体激光元件基板包括第一基板和在第一基板的表面上形成的第一半导体元件层，形成第一半导体激光元件基板的工序，包括形成具有从第一半导体元件层的表面至到达第一基板为止的深度的第一槽的工序。根据这样的方案，例如，即使是用一般难以劈开的氮化物类半导体形成第一半导体激光元件基板的情况下，通过具有从第一半导体元件层的表面至到达第一基板为止的深度的第一槽，没有形成第一槽的第一基板的厚度变得更小，相应地能够更容易地劈开氮化物类半导体构成的第一半导体激光元件基板。