[发明专利]像素阵列基板有效

专利信息
申请号: 201010105804.X 申请日: 2010-02-04
公开(公告)号: CN101776828A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 柳智忠 申请(专利权)人: 深超光电(深圳)有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 丁建春;陈华
地址: 518100广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 阵列
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及一种基板,且特别是涉及一种像素阵列基板。

【背景技术】

一般的,液晶显示器主要是由一主动元件阵列基板、一对向基板以及 一夹于前述二基板之间的液晶层所构成。主动元件阵列基板主要包括多条 扫描线、多条数据线、排列于扫描线与数据线间之主动元件以及与每一主 动元件对应配置的一像素电极(Pixel Electrode)。而上述的主动元件通常为 薄膜电晶体,其包括栅极、半导体层、源极与漏极,其用来作为液晶显示 单元的开关元件。

图1是现有的一种像素阵列基板的示意图。请参照图1,此像素阵列 基板100中,多个像素130a、130b排列成多行,各行像素位于两条扫描线 110a、110b之间,且两条扫描线110a、110b位于相邻两行像素之间。其中, 像素130a与像素130b位于数据线120的两侧,像素130a、130b的主动元 件140、150的栅极142、152分别与扫描线110a、110b电连接,以及像素 130a、130b中的主动元件140、150的源极144、154与同一条数据线120 电连接。

一般来说,在制作具有此像素阵列基板100的主动元件阵列基板的过 程中,主动元件140、150的栅极142、152与扫描线110a、110b由第一导 体层(Metal 1)形成,而主动元件140、150的源极144、154、漏极146、 156与数据线120由第二导体层(Metal 2)形成,且第一导体层与第二导 体层是以不同的掩膜处理进行制作的。因此,当机台的精密度不足或是工 艺上的对位误差时,主动元件140、150的栅极142、152与源极144、154、 漏极146、156之间会产生相对位移而使主动元件140、150的特性偏离原 有的设计值。

详细而言,扫描线110a、110b的信号传输品质除了与扫描线110a、 110b本身的阻抗有关之外,尚与扫描线110a、110b上的寄生电容有关, 也就是一般所说的电阻-电容效应(R-C effect)。此外,扫描线110a、110b 上的寄生电容大约正比于扫描线110a、110b与漏极146、156的重叠面积。 一旦工艺上发生对位误差,同一条扫描线110a或110b上的寄生电容将会 因而改变。也就是说,工艺的对位误差将会影响扫描线110a、110b的信 号传输品质。

【发明内容】

本发明提供一种像素阵列基板,有效改善因为工艺中的对位误差造成 栅极-源极寄生电容产生变化的问题。

本发明提出一种像素阵列基板,包括基板、多条第一扫描线、多条 第二扫描线、多个像素、多个第一补偿结构以及多个第二补偿结构。第 一扫描线与第二扫描线成对设置在基板上。数据线与第一扫描线及第二 扫描线垂直相互交叉设置。多个像素包括多个第一像素与多个第二像素, 且位于成对的一第一扫描线、一第二扫描线以及数据线之间。第一像素 与第一扫描线及数据线的第一侧相连,第二像素与第二扫描线及数据线 的第二侧相连。第一补偿结构位于所对应的数据线的第二侧,第一补偿 结构包括第一导体图案、第一半导体图案以及第一源极补偿图案,第一 导体图案与第一扫描线连接,第一半导体图案位于第一导体图案上方, 第一源极补偿图案至少部分位于第一半导体图案上且与数据线电连接。 第二补偿结构位于所对应的数据线的第一侧,第二补偿结构包括第二导 体图案、第二半导体图案以及第二源极补偿图案,第二导体图案与第二 扫描线连接,第二半导体图案位于第二导体图案上方,第二源极补偿图 案至少部分位于第二半导体图案上且与数据线电连接。

在本发明的一实施例中,上述的第一像素包括一第一栅极、一第一半 导体层、一第一漏极以及一第一源极,第一栅极与第一扫描线电连接,第 一半导体层位于第一栅极上方,第一源极与第一漏极至少部分位于第一半 导体层上且第一源极与数据线电连接。

在本发明的一实施例中,上述的第一源极与第一栅极边界切齐处具有 一第一宽度,第一源极补偿图案与第一导体图案边界切齐处具有一第二宽 度,第一宽度等于第二宽度。

在本发明的一实施例中,上述的第二像素包括一第二栅极、一第二半 导体层、一第二漏极以及一第二源极,第二栅极与第二扫描线电连接,第 二半导体层位于第二栅极上方,第二源极与第二漏极至少部分位于第二半 导体层上且第二源极与数据线电连接。

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