[发明专利]相变存储器芯片版图结构有效

专利信息
申请号: 201010107872.X 申请日: 2010-02-09
公开(公告)号: CN101800237A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 王倩;陈后鹏;蔡道林;宋志棠 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 王松
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 相变 存储器 芯片 版图 结构
【权利要求书】:

1.一种相变存储器芯片版图结构,其特征在于,所述相变存储器芯片版图包括 第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区;

所述第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区位于相变存储 器芯片版图的中央;所述第一版图区与第二版图区相连,所述第二版图区与 第三版图区相连,所述第二版图区与第四版图区相连,所述第三版图区与第 四版图区相连;所述第五版图区覆盖版图中央、除第一版图区、第二版图区、 第三版图区和第四版图区外的其他空白区域;第六版图区均匀分布在相变存 储器芯片版图的四周和四角;

所述第一版图区为锁相环版图区,所述锁相环版图区包括鉴频鉴相器、 电荷泵、滤波器、压控振荡器和分频器;所述鉴频鉴相器采用数字电源与地, 所述电荷泵、滤波器采用模拟电源与地,所述压控振荡器、分频器采用振荡 电源与地;所述压控振荡器位于所述第一版图区的角落,同时也位于相变存 储器芯片版图中央区的角落、远离第二版图区、第三版图区和第四版图区, 并通过保护环与其它电路隔离;

所述第二版图区为带隙基准源电路和电流驱动电路版图区;所述带隙基 准源电路中的电阻具有较宽宽度,所述较宽宽度为2-5倍于工艺所规定的最 小宽度;并采用交叉匹配的版图技术减小电阻比值匹配误差;所述电流驱动 电路版图区采用独立的电源与地,为存储单元读写操作提供所需的电流;

所述第三版图区为逻辑控制电路版图区,所述逻辑控制电路为数字电路;

所述第四版图区为存储阵列和译码器版图区;所述存储阵列由512bit 存储单元构成;所述存储单元由开关管和存储节点构成,所述存储节点由相 变存储材料制作,通过底电极与所述开关管的漏极相连;所述译码器版图区 由行译码和列译码构成;

所述第五版图区为电容版图区,所述电容版图区覆盖芯片中央区中除去 第一至第四版图区的其它空白区域,它连接上述四组不同的电源与地,起到 稳压作用;

所述第六版图区为输入输出接口版图区,包括48个输入输出接口,均匀 分布在所述相变存储器芯片版图的四周。

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