[发明专利]用于多晶硅垂直定向生长的随动隔热环热场结构无效
申请号: | 201010108876.X | 申请日: | 2010-02-09 |
公开(公告)号: | CN101775641A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 唐骏;傅林坚;沈维根;石刚 | 申请(专利权)人: | 宁波晶元太阳能有限公司;上虞晶盛机电工程有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人: | 金祺 |
地址: | 315800浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 多晶 垂直 定向 生长 隔热 环热场 结构 | ||
技术领域
本发明涉及多晶硅铸锭炉设计与制造技术领域,特别是一种用于多晶硅垂直定向生长 的随动隔热环热场结构。
背景技术
铸造多晶硅内部存在大量的晶界,洁净的晶界呈非电活性,对少数载流子寿命并无影 响或只有微小影响,而杂质的偏聚或沉淀会改变晶界的电活性,会显著降低少数载流子寿 命,晶界越多,影响越大;但是研究表明,如果晶界垂直于器件表面,则晶界对材料电化 学性能几乎没有影响,所以提高晶粒大小、改善长晶方向是提高多晶硅铸锭品质的有效方 法。
多晶硅铸锭炉是一种硅的定向凝固设备、其功能是将多晶硅按照设定工艺经过熔化、 定向结晶、退火、冷却几个阶段后成为有一定晶体生长方向的多晶硅锭。多晶硅铸锭过程 所需环境即为多晶铸锭炉热场。通过合理的设计热场中加热器的功率分布,隔热材料的位 置、厚度分布,可以改变最终多晶硅锭的晶体生长方向。多晶硅铸锭炉是一种能耗较高, 工时较长的生产设备,在同样的晶体方向及晶粒尺寸条件下,缩短工时、节约能耗十分有 利于企业竞争力的提升。而现有多晶铸锭炉配套热场由于结构设计上的缺陷,难以实现上 述需求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术中的不足,提供一种用于多晶硅垂直定向生 长的随动隔热环热场结构。
本发明解决该技术问题所采用的技术方案是:提供一种用于多晶硅垂直定向生长的随 动隔热环热场结构,包括置于炉室内的坩埚,坩埚的热场包括顶部加热器、侧部加热器和 位于坩埚底部的热交换台,其中顶部加热器和侧部加热器固定于电极上;所述炉室内设有 侧面包围式的隔热笼体,所述坩埚及热场均置于隔热笼体中,隔热笼体的上端与提升装置 相连;隔热笼体上下分别设置顶部保温板和下保温层,其中顶部保温板固定悬挂于电极上, 下保温层及所述热交换台均固定于支撑柱上,顶部保温板与隔热笼体上端活动相接、下保 温层与隔热笼体下端活动相接;一个环形的随动隔热环通过数个连接装置固定在隔热笼体 的内部。
作为一种改进,所述隔热笼体的下缘设有向内延伸的环形的下隔热条,所述随动隔热 环通过连接装置固定在下隔热条上。
作为一种改进,所述随动隔热环与下隔热条的宽度相同。
作为一种改进,所述下保温层与下隔热条之间具有相互契合的接口形状。
作为一种改进,所述随动隔热环与连接装置之间设有垫片,垫片可增大随动隔热环的 稳定性。
作为一种改进,所述连接装置是螺栓螺母连接结构,在一定范围内可以进行无级调节。
作为一种改进,氩气输入管穿过顶部保温板并延伸至坩埚上方。
本发明中,隔热笼体、顶部保温板及下保温层组成一个封闭的热场腔室,并由随动隔 热环分为上下两个部分。隔热笼体的的空间,其上部为高温区、下部为低温区。在整个热 场腔室中,在硅的结晶面上形成一个垂直的温度梯度。通过对铸锭工艺的改进、调整,及 随动隔热环高度、厚度的调整,在整个长晶过程中,随动隔热环配合工艺要求随隔热笼体 提升机构的运动而提升,可以动态改善热场内温度梯度分布,从而使硅的结晶凝固过程得 到有效控制。
本发明经验证,可提高晶体生长的垂直度,改善结晶面结构形状,同时缩短整个工艺 时间,提高企业生产能力,也提高生产过程中的安全系数。
本发明设计合理,能够增大多晶硅晶粒,减少晶界,改善晶体生长方向垂直度,从而 提高多晶硅铸锭品质,同时随动隔热环也起到了降低能耗的作用。
附图说明
图1是本发明整体结构剖视图;
图2是本发明使用状态结构剖视图。
图中的附图标记为:1炉室、2顶部保温板、3顶部加热器、4隔热笼体、5侧部加热 器、6坩埚、7热交换台、8支撑柱、9下保温层、10下隔热条、11连接装置、12垫片、 13随动隔热环、14坩埚护板、15提升机构、16电极、17氩气输入管。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
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