[发明专利]制作氮化物类半导体发光元件的方法

权利要求书

1.一种通过有机金属气相生长法制作包含活性层的氮化物类半导 体发光元件的方法，其特征在于，

包括以下步骤：

向生长炉中供给镓原料和氮原料，在第1温度下生长由第1氮化 镓类半导体构成的阻挡层；

在生长所述阻挡层之后，向所述生长炉中供给氮原料而不供给镓 原料的情况下，进行铟原料的预供给；以及

在所述预供给之后，立即向生长炉中供给镓原料和氮原料，在低 于所述第1温度的第2温度下，在所述阻挡层上生长由InGaN构成的 阱层，

生长所述阱层的步骤包括多个第1期间和位于所述第1期间之间 的第2期间，

在所述多个第1期间，分别向所述生长炉中供给作为III族原料的 镓原料和铟原料，生长多个InGaN层，

在所述第2期间，在不供给所述镓原料的情况下，向所述生长炉 中供给铟原料，

所述阱层由所述多个InGaN层构成，

所述活性层包括所述阱层和所述阻挡层，并且被设置在氮化镓类 半导体区域的主面上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

进行所述预供给的期间中的至少一部分期间处于所述第2温度下。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

铟原料包含三甲基铟，

所述氮原料包含氨。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

还包括以下步骤：在所述阱层生长之后，在不供给所述镓原料的 情况下，立即向所述生长炉进行铟原料的后供给。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

进行所述后供给的期间中的至少一部分期间处于所述第2温度下。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

还包括以下步骤：所述后供给之后，在所述第1温度下，在所述 阱层上生长由第2氮化镓类半导体构成的其他阻挡层。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

还包括以下步骤：

在所述阱层生长之后，立即在所述阱层上生长由氮化镓类半导体 构成的保护层；和

在所述第1温度下，在所述保护层上生长由第2氮化镓类半导体 构成的其他阻挡层，

所述保护层的带隙为所述阻挡层的带隙以下，

所述保护层的带隙大于所述阱层的带隙。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

还包括以下步骤：

在所述后供给之后，在所述阱层上生长由氮化镓类半导体构成的 保护层；和

在所述第1温度下，在所述保护层上生长由第2氮化镓类半导体 构成的其他阻挡层，

所述保护层的带隙为所述阻挡层的带隙以下，

所述保护层的带隙大于所述阱层的带隙。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

在所述保护层的生长期间中的至少一部分期间，使衬底温度上升。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

在所述保护层的生长期间中的至少一部分期间，使衬底温度上升。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述阱层的InGaN的主面显示半极性，并相对于沿着该阱层的 InGaN的c轴延伸的基准轴倾斜，

所述主面倾斜10度以上且80度以下。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

相对于与沿着所述阱层的InGaN的c轴延伸的基准轴正交的平面， 所述阱层的InGaN的主面在-10度以上且+10度以下的范围内。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

相对于与实质上沿着所述阱层的InGaN的a轴和m轴中任一轴方 向延伸的基准轴正交的平面，所述阱层的InGaN的主面在-10度以上且 +10度以下的范围内。