[发明专利]一种体接触器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造体接触器件结构的方法，所述方法包括：

A.提供半导体衬底，所述半导体衬底内有隔离区；

B.在所述半导体衬底和隔离区上形成伪栅堆叠，以及在所述伪栅堆叠侧壁形成侧墙，以及在所述半导体衬底内形成源极区和漏极区，并覆盖所述源极区、漏极区以及隔离区形成绝缘介电层；

C.将伪栅堆叠一端去除，暴露衬底和隔离区以形成开口，其中伪栅堆叠未去除部分为体引出堆叠，所述体引出堆叠包括体引出层，所述体引出层直接和衬底接触；

D.在所述开口内形成替代栅堆叠，所述替代栅堆叠包括栅介质层和栅电极；

E.在所述源极区和漏极区上形成源漏接触，在所述体引出堆叠中的体引出层上形成体接触以及在替代栅堆叠的栅电极上形成栅极接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述体引出层由半导体或半导体化合物材料形成，且采用与所述衬底不同的材料形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述半导体或半导体化合物材料包括：Ge、GeSi、GaAs、InP、SiC、多晶硅和金刚石。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述体引出堆叠还包括第一氧化物帽层和第二氮化物帽层。

5.根据权利要求1所述的方法，在步骤D和步骤E之间还包括：在所述源极区、漏极区的半导体衬底上形成源漏金属硅化物层，以及在所述体引出层上形成体引出金属硅化物层。

6.一种体接触器件结构，其中所述结构包括：

具有半导体衬底，其中所述半导体衬底内有隔离区；

在半导体衬底上形成的源极区和漏极区；

形成于所述源极区和漏极区之间的半导体衬底和隔离区上的体引出堆叠和替代栅堆叠；

其中所述体引出堆叠包括体引出层；所述替代栅堆叠包括栅介质层和栅电极；

形成于所述体引出堆叠和替代栅堆叠侧壁的侧墙；

形成于所述源极区和漏极区的源漏接触，以及体引出层上的体接触，以及栅电极上的栅极接触。

7.根据权利要求6所述的器件结构，其中所述体引出层由半导体或半导体化合物材料形成，且采用与所述衬底不同的材料形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述半导体或半导体化合物材料包括：Ge、GeSi、GaAs、InP、SiC、多晶硅或金刚石。

9.根据权利要求6所述的器件结构，在所述源漏接触与所述源极区和漏极区所在衬底之间还包括源漏金属硅化物层。

10.根据权利要求6所述的器件结构，在所述体接触与所述体引出层之间还包括体引出金属硅化物层。

11.根据权利要求6所述的器件结构，其中所述体引出堆叠还包括第一氧化物帽层和第二氮化物帽层。