[发明专利]在单晶基板上形成悬浮物件的方法

权利要求书

1.一种在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，其包括：

(a)提供一单晶基板，其是由一硅基层以及所述硅基层上方的电路层所组成，所述电路层中具有至少一湿式蚀刻区，且所述湿式蚀刻区是延伸至硅基层的表面；

(b)以湿蚀刻的方式移除湿式蚀刻区内的材料，直至所述硅基层；

(c)以非等向性的干蚀刻方式，对湿式蚀刻区底部的硅基层进行蚀刻，至一预定的蚀刻深度；以及

(d)从所述单晶基板下表面移除部分的硅基层，直至步骤(c)中的预定蚀刻深度位置处。

2.根据权利要求1所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述湿式蚀刻区是由多层金属层及多个金属导孔堆叠而成。

3.根据权利要求1所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述湿式蚀刻区的深宽比是大于3∶1。

4.根据权利要求1所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，在步骤(a)中所述单晶基板是以互补金属氧化物单晶标准工艺所制成。

5.根据权利要求1所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述电路层具有至少一电路区以及至少一微结构区，且所述湿式蚀刻区是设置于所述电路区与所述微结构区之间。

6.根据权利要求5所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，所述电路区与所述微结构区是部分相连。

7.根据权利要求5所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，在所述电路区与微结构区之间的湿式蚀刻区是部分覆盖于微结构区的上方。

8.根据权利要求5所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，所述步骤(c)更包括下列步骤：在蚀刻完成后，以一帽盖封装所述至少一微结构区的上方。

9.根据权利要求5所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，所述步骤(d)更包括下列步骤：以非等向性干式蚀刻的方式，移除微结构区及湿式蚀刻区下方的硅基层。

10.根据权利要求5所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，所述步骤(d)更包括下列步骤：先以打磨的方式减薄硅基层的厚度，再以蚀刻的方式移除微结构区及湿式蚀刻区下方的硅基层。

11.根据权利要求10所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，所述步骤(d)的蚀刻方式为干式蚀刻或湿式蚀刻。

12.根据权利要求5所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，所述步骤(d)更包括下列步骤：在蚀刻完成后，以一帽盖封装所述硅基层相对所述至少一微结构区的下方位置处。

13.根据权利要求5所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，于步骤(a)中，所述电路层是具有多个电路区及多个湿式蚀刻区，且所述湿式蚀刻区是设置于电路区的边界，以区隔所述多个电路区。

14.根据权利要求13所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，在步骤(a)中用以区隔所述多个电路区的湿式蚀刻区是部分覆盖于电路区的上方。

15.根据权利要求13所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，所述步骤(c)更包括下列步骤：在蚀刻完成后，以一帽盖封装所述单晶基板的上方。

16.根据权利要求13所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，所述步骤(d)更包括下列步骤：在蚀刻完成后，以一帽盖封装所述单晶基板的下方。

17.根据权利要求15或16所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，所述帽盖的材料是包括玻璃、硅或塑胶。

18.根据权利要求1所述的在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，于步骤(c)中，所述非等向性干蚀刻为深层反应离子蚀刻。