[发明专利]铟铈铁三掺铌酸锂晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010110716.9 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN101768780A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 徐朝鹏;毕卫红;焦斌亮;韩富兴;赵岩;巩洁 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/00;G02F1/355
代理公司: 秦皇岛市维信专利事务所 13102 代理人: 鄂长林
地址: 066004河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 铟铈铁三掺铌酸锂 晶体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铟铈铁三掺铌酸锂晶体,其特征是:由纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CeO2和In2O3制成;其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.94~1.38∶1,Fe2O3的掺杂浓度为0.01~0.05wt%,CeO2的掺杂浓度为0.1~0.3mol%,In2O3的掺杂浓度为0.5~1.5mol%。

2.一种制备如权利要求1所述的铟铈铁三掺杂铌酸锂晶体的方法,其特征是:所述制备方法采用提拉法生长制成,其步骤如下:

1)按权利要求1所述各元素的计量比,称取Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CeO2和In2O3,在100~350℃下恒温3h将粉料烘干,在混料机上充分混合8~16h,将混合好的原料放入Pt坩埚中,在650~750℃的环境中烧结1~3h,使Li2CO3充分分解,再升温至1000~1050℃烧结1~3h,即可制得铟铈铁三掺杂铌酸锂粉料;

2)用中频感应炉加热,采用传统的提拉法进行晶体生长:经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火程序,生长出红色,直径35mm,高度40mm的无开裂、无生长条纹的多畴晶体;

3)所得的多畴晶体在1100~1200℃,极化电流密度为5mA/cm2的条件下极化3h,然后以60℃/h的速度退火,降至室温,得单畴晶体;

4)通过二波耦合测试,铟铈铁三掺铌酸锂晶体的衍射效率为28.4~49.6%,响应时间为30s~4min;

5)通过直接透射光斑畸变法测试,铟铈铁三掺铌酸锂晶体的抗光损伤能力为1.02×102~7.68×104W/cm4

3.根据权利要求2所述的制备铟铈铁三掺杂铌酸锂晶体的方法,其特征是:所述的提拉法中参数为:提拉速度为0.2~3mm/h,旋转速度为10~25rpm,气液温差20~30℃,溶体内温度梯度为1~2℃/mm。

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