[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成CMOS结构，其中所述CMOS结构包括：衬底、形成在衬底之中的源/漏极以及形成在衬底之上的栅极、形成在源/漏极和/或栅极之上的金属硅化物层、和形成在衬底之上的覆盖层；

进行第一次刻蚀以形成栅极接触孔，以及相同深度的源/漏极接触孔；

进行第二次刻蚀以形成完全深度的源/漏极接触孔以及连接所述栅极接触孔和所述源/漏极接触孔的第一层金属区；和

填充所述栅极接触孔、所述源/漏极接触孔和所述第一层金属区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极两侧包括一层或多层侧墙。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包括氮化物层和以正硅酸乙酯TEOS与甲烷CH4为原料形成的硅氧化物层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蚀包括：

在所述硅氧化物层之上形成硬掩膜层及第一光刻胶层；

刻蚀所述硬掩膜层和所述硅氧化物层，以形成所述栅极接触孔和相同深度的所述源/漏极接触孔，使所述栅极接触孔底部到达所述栅极金属硅化物层的内部，所述源/漏极接触孔底部到达所述氮化物层的上表面。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二次刻蚀包括：形成第二光刻胶层；

进行光刻以使所述源/漏极接触孔区域及所述第一层金属区暴露；

刻蚀所述源/漏极接触孔以使其底部向下延伸直至接触所述源/漏极金属硅化物层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二次刻蚀还包括：

对所述第一层金属区进行选择性刻蚀，精确控制刻蚀厚度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极接触孔、所述源/漏极接触孔和所述第一层金属区均被填充同种金属或导电材料。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在填充金属或导电材料之后，还包括：

进行化学机械抛光。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成CMOS结构，其中所述CMOS结构包括：衬底、形成在衬底之中的源/漏极以及形成在衬底之上的栅极、形成在源/漏极和/或栅极之上的金属硅化物层、和形成在衬底之上的覆盖层；

第一次刻蚀，形成源/漏极接触孔；

第二次刻蚀，形成栅极接触孔以及连接所述栅极接触孔和所述源/漏极接触孔的第一层金属区；

填充所述栅极接触孔、所述源/漏接触孔和所述第一层金属区。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述栅极两侧包括一层或多层侧墙。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包括氮化物层和低介电常数绝缘层。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蚀包括：

在所述低介电常数绝缘层之上形成硬掩膜层及第一光刻胶层；

刻蚀形成所述源/漏极接触孔，使其底部到达所述源/漏极金属硅化物层的内部。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二次刻蚀包括：

形成第二光刻胶层；

进行光刻以使所述栅极接触孔区域及所述第一层金属区暴露；

刻蚀所述低介电常数绝缘层，形成所述栅极接触孔及相同深度的所述第一层金属区，使所述栅极接触孔的底部到达所述栅极金属硅化物层。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述栅极接触孔、所述源/漏极接触孔和所述第一层金属区均被填充同种金属或导电材料。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，在填充金属或导电材料之后，还包括：

进行化学机械抛光。