[发明专利]ESD保护电路

权利要求书

1.一种ESD保护电路，其包括：

第一电源线，第二电源线，虚拟电源线；

第一输入/输出焊垫；

功能单元，其第一端与所述第一输入/输出焊垫耦接，第二端与所述第一电源线耦接，第三端与所述第二电源线耦接；

第一放电单元，其第一端与所述第一输入/输出焊垫、所述功能单元第一端耦接，第二端与所述虚拟电源线耦接；

第二放电单元，其第一端与所述第一输入/输出焊垫、所述功能单元第一端耦接，第二端与所述第二电源线耦接；

第一截止二极管，其正极耦接所述虚拟电源线，负极耦接所述第一电源线。

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，还包括：

第二输入/输出焊垫；

第三放电单元，其第一端与所述第二输入/输出焊垫耦接，第三端与所述功能单元第四端耦接；

第四放电单元，其第一端与所述第二输入/输出焊垫耦接，第二端与所述第二电源线耦接，第三端与所述功能单元第五端耦接；

第二截止二极管，其正极耦接所述第三放电单元第二端，负极耦接所述第一电源线。

3.根据权利要求2所述的ESD保护电路，其特征在于，还包括：

放电二极管，其正极耦接所述虚拟电源线，负极耦接所述第二输入/输 出焊垫。

4.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，还包括：

第二输入/输出焊垫；

第三放电单元，其第一端与所述第二输入/输出焊垫耦接，第二端与所述虚拟电源线耦接，第三端与所述功能单元第四端耦接；

第四放电单元，其第一端与所述第二输入/输出焊垫耦接，第二端与所述第二电源线耦接，第三端与所述功能单元第五端耦接；

第二截止二极管，其正极耦接所述功能模块第六端，负极耦接所述第一电源线。

5.根据权利要求4所述的ESD保护电路，其特征在于，还包括：

放电PMOS管，其栅极耦接所述第一电源线，源极耦接所述虚拟电源线，漏极耦接所述第二输入/输出焊垫。

6.根据权利要求2或5所述的ESD保护电路，其特征在于，还包括：

n个串接二极管，第一个二极管的正极耦接第一电源线，第二二极管的正极耦接第一个二极管的负极，依次类推第n个二极管的正极耦接第n-1个二极管的负极，第n个二极管的负极耦接所述虚拟电源线，其中n为自然数。

7.根据权利要求2或5所述的ESD保护电路，其特征在于，所述功能单元包括：

内部子单元，其第一端耦接所述功能单元第一端、第二端耦接所述功能单元第二端、第三端耦接所述功能单元第三端；

驱动子单元，其第一端耦接所述功能单元第二端，第二端耦接所述功能单元第三端，第三端耦接所述功能单元第四端、第四端耦接所述功能单元第五端，第五端耦接所述内部子单元。

8.根据权利要求2或5所述的ESD保护电路，其特征在于，还包括：

静电钳位单元，第一端耦接所述虚拟电源线，第二端耦接所述第二电源线，所述静电钳位单元的导通方向为由所述静电钳位单元第一端向所述静电钳位单元第二端。

9.根据权利要求2或5所述的ESD保护电路，其特征在于，所述静电钳位单元的结构包括：

第一个电阻，其第一端耦接所述虚拟电源线；

电容，其电容第一端耦接所述第一个电阻第二端，电容第二端耦接所述第二电源线；

第一个PMOS晶体管，其栅极耦接所述第一个电阻第二端，源极耦接所述第一电源线，漏极耦接所述第二电源线，衬底耦接所述虚拟电源线；

第二个PMOS晶体管，其栅极耦接所述第一个PMOS晶体管的漏极，其源极耦接所述虚拟电源线，漏极耦接所述第二电源线，衬底耦接第二电源线；

NMOS晶体管，其栅极耦接所述第一个电阻第二端，源极耦接所述第二电源线，漏极耦接所述第一个PMOS晶体管的漏极，衬底耦接第二电源线；

第二个电阻，其第一端耦接所述第一个PMOS晶体管的漏极，第二端耦接所述第二电源线。