[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法有效
| 申请号： | 201010111207.8 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102148182A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张瑛;林伟铭;吴晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；
沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽，所述浅沟槽侧壁顶部的拐角为弧形；
去除与浅沟槽侧壁顶部对应的氮化硅层直至暴露出衬垫氧化层；
在所述浅沟槽侧壁、顶部和底部形成保护氧化层；
在氮化硅层表面和衬垫氧化层表面形成填充所述浅沟槽的隔离介质层；
去除隔离介质层直至暴露出氮化硅层；
去除氮化硅层和衬垫氧化层。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述弧形的切线与衬底平面的夹角小于65度且大于45度。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，形成浅沟槽侧壁顶部的拐角为弧形的工艺为等离子体刻蚀工艺。
4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，形成浅沟槽侧壁顶部的拐角为弧形的工艺具体参数为：刻蚀腔室压力为15至35毫托，射频功率为400瓦至500瓦，射频偏压为150伏至250伏，HBr流量为30SCCM至40SCCM，CHF3流量为140SCCM至160SCCM。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述隔离介质层材料为氧化硅。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，去除部分氮化硅层直至暴露出衬垫氧化层的工艺为湿法去除工艺。
7.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，去除部分氮化硅具体为去除150埃至400埃宽度的氮化硅层。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，去除隔离介质层的工艺为化学机械抛光工艺。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，去除氮化硅层的工艺为湿法去除工艺。
10.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，保护氧化层的形成工艺为氧化工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
