[发明专利]非挥发性存储单元无效
| 申请号： | 201010111298.5 | 申请日： | 2005-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101777563A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘慕义;金锺五 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储 单元 | ||
1.一种非挥发性存储单元，其特征在于其包括：
一基底，具有一第一导电型；
一栅极结构，配置于基底上，该栅极结构包括：
一个氧化硅/氮化硅/氧化硅层，配置于该基底上且该氧化硅/氮化
硅/氧化硅层直接接触该基底；和
一控制栅极，配置于该氧化硅/氮化硅/氧化硅层上；
至少二源极/漏极区，具有一第二导电型，配置于该栅极结构两旁的该基底中；以及
一埋入式通道区，具有该第二导电型，配置于该些源极/漏极区间的该基底中并与该氧化硅/氮化硅/氧化硅层接触，其中该埋入式通道区与该些源极/漏极区隔离。
2.根据权利要求1所述的非挥发性存储单元，其特征在于其中当该第一导电型为P型时，该第二导电型为N型。
3.根据权利要求1所述的非挥发性存储单元，其特征在于其中当该第一导电型为N型时，该第二导电型为P型。
4.根据权利要求1所述的非挥发性存储单元，其特征在于其中当该第一导电型为N型以及该第二导电型为P型时，该埋入式通道区为一掺杂区，其掺质为硼、二氟化硼或铟。
5.根据权利要求1所述的非挥发性存储单元，其特征在于其中当该第一导电型为P型以及该第二导电型为N型时，该埋入式通道区为一掺杂区，其掺质为砷、磷或锑。
6.根据权利要求1所述的非挥发性存储单元，其特征在于其中当该第一导电型为N型以及该第二导电型为P型时，该些源极/漏极区为一掺杂区，其掺质为硼、二氟化硼或铟。
7.根据权利要求1所述的非挥发性存储单元，其特征在于其中当该第一导电型为P型以及该第二导电型为N型时，该些源极/漏极区为一掺杂区，其掺质为砷、磷或锑。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
