[发明专利]电容器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器结构，包括：

在衬底上形成的多个叠层电容器，每一个叠层电容器包括顶极板、底极板和夹在二者之间的电介质，以及

用于将所述多个叠层电容器并联连接的电容器第一电极和电容器第二电极，

其中，所述多个叠层电容器包括交替堆叠的第一叠层电容器和第二叠层电容器，每一个第一叠层电容器的底极板与位于其下方的第二叠层电容器的顶极板由公共的第一电极层形成，每一个第二叠层电容器的底极板与位于其下方的第一叠层电容器的顶极板由公共的第二电极层形成，

其特征在于

所述第一电极层和所述第二电极层由不同的导电材料组成。

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述不同的导电材料具有不同的蚀刻速率。

3.根据权利要求2所述的电容器结构，其中所述第一电极层的导电材料和所述第二电极层的导电材料分别选自金属层、掺杂多晶硅层、或包括金属层和掺杂多晶硅层中的一种。

4.根据权利要求3所述的电容器结构，其中所述金属层由选自为TaC、TiN、TaTbN、TaErN、TaYbN、TaSiN、HfSiN、MoSiN、RuTax、NiTax，MoNx、TiSiN、TiCN、TaAlC、TiAlN、TaN、PtSix、Ni3Si、Pt、Ru、Ir、Mo、HfRu、RuOx及其任意组合的一种材料构成。

5.根据权利要求4所述的电容器结构，其中第一电极层由多晶硅构成，第二电极层由TiN构成。

6.根据权利要求1所述的电容器结构，其中第一叠层电容器和第二电容器包括相同的电介质。

7.根据权利要求1所述的电容器结构，其中第一叠层电容器和第二电容器包括不同的电介质。

8.根据权利要求1所述的电容器结构，其中

所述电容器第一电极在所述电容器结构的第一侧面直接接触所有第一电极层，并且与所有第二电极层电隔离；以及

所述电容器第二电极在所述电容器结构的与所述第一侧面相对的第二侧面直接接触所有第二电极层，并且与所有第一电极层电隔离。

9.根据权利要求1所述的电容器结构，形成浅沟隔离区中。

10.一种制造电容器结构的方法，包括以下步骤：

a)在半导体衬底上形成绝缘层；

b)在所述绝缘层上交替沉积第一电极层、第一电介质层、第二电极层和第二电介质层，以形成多层结构；

c)对所述多层结构的第一侧面进行蚀刻，其中相对于第一电极层、第一电介质层、第二电介质层，选择性去除第二电极层在第一侧面上暴露的一部分，从而在所述第一侧面上留下凹陷；

d)对所述多层结构的第二侧面进行蚀刻，其中相对于第二电极层、第一电介质层、第二电介质层，选择性去除第一电极层在第二侧面上暴露的一部分，从而在所述第二侧面上留下凹陷；

e)在所述多层结构上沉积绝缘材料的覆盖层；

f)在所述覆盖层中形成暴露所述第一侧面和所述第二侧面的开口，其中在第一侧面和第二侧面上的凹陷中留下所述绝缘材料；

g)在所述开口中填充导电材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在工艺前端中执行步骤a)-e)。

12.根据权利要求10所述的方法，其中在工艺中段中执行步骤f)-g)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中与形成接触开口的步骤同时执行步骤f)。

14.根据权利要求13所述的方法，其中与填充接触开口的步骤同时执行步骤g)。

15.根据权利要求14所述的方法，其中第一电极层由多晶硅构成，第二电极层由TiN构成。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一电介质层和所述第二电介质层由相同的材料组成。

17.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一电介质层和所述第二电介质层由不同的材料组成。