[发明专利]整流晶片端子构造有效
申请号: | 201010111446.3 | 申请日: | 2010-02-04 |
公开(公告)号: | CN102148575A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 黄文火 | 申请(专利权)人: | 嵩镕精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/02 | 分类号: | H02M7/02;H01L23/10;H01L23/48 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 整流 晶片 端子 构造 | ||
1.一种整流晶片端子构造,其特征在于,所述整流晶片端子构造包括:
一底座(10),其内部具有一组装平台(11),所述组装平台(11)与所述底座(10)内缘区分出一间隔区段(14),且所述组装平台(11)与所述间隔区段(14)底部之间设有至少一卡勾部(13);
一整流晶片(20),装设于所述组装平台(11),所述整流晶片(20)于周缘设有一绝缘部(21);
一导电元件(30),具有设置于所述整流晶片(20)上的一基部(31),所述基部(31)延伸出一缓冲区段(33、33a);
一套环(40),装设于所述底座(10)的端缘并于内部容设一封装材料(42),且设有与所述封装材料(42)接触的多个定位部(43),每一定位部(43)具有分别延伸至套环(40)两端的一凸部(431)与一凹部(432),而相邻的两定位部(43)的凸部(431)与凹部(432)交错设置,且这些凸部(431)在套环(40)端缘的截面积与在套环(40)内的截面积不同。
2.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述组装平台(11)为粗糙面。
3.根据权利要求2所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述粗糙面的粗糙度为0.6Ra。
4.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述组装平台(11)设有与所述整流晶片(20)连接的一第一凸点结构(12)。
5.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述基部(31)设有与所述整流晶片(20)连接的一第二凸点结构(32)。
6.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述绝缘部(21)为一厚度略大于所述整流晶片(20)的封装玻璃。
7.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述绝缘部(21)为一绝缘胶,且所述组装平台(11)设有将所述绝缘胶定位的至少一阻流槽(17),所述绝缘胶填充于所述导电元件(30)与所述组装平台(11)之间而包覆所述整流晶片(20)周缘。
8.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述缓冲区段(33)为排列紧密的螺纹。
9.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述缓冲区段(33a)为一距离间隔排列的螺纹,该距离的外径小于所述导电元件(30)的外径。
10.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述凸部(431)在套环(40)端缘的截面积大于在套环(40)内缘的截面积。
11.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述凸部(431)在套环(40)端缘的截面积小于在套环(40)内缘的截面积。
12.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述凹部(432)的截面积一致。
13.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述套环(40)内缘为弧面。
14.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述底座(10)设有第一导入斜角(16)。
15.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述套环(40)设有第二导入斜角(41)。
16.根据权利要求1所述的整流晶片端子构造,其特征在于,所述底座(10)设有一握持部(15),所述握持部(15)环设多个间隔排列的凸纹。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嵩镕精密工业股份有限公司,未经嵩镕精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010111446.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。