[发明专利]融合式存储器器件及系统

权利要求书

1.一种融合式存储器器件，包括：

芯片上的第一相变存储器组；以及

与所述第一相变存储器组设置在同一芯片上的第二相变存储器组，在相变操作过程中，所述第二相变存储器组具有与所述第一相变存储器组的电阻分布不同的电阻分布。

2.根据权利要求1所述的融合式存储器器件，其中，所述第一相变存储器组是快擦写存储器器件的代替器件，且所述第二相变存储器器件是动态随机存取存储器的代替器件。

3.根据权利要求2所述的融合式存储器器件，其中，所述第一相变存储器组具有第一感测比，且所述第二相变存储器组具有小于所述第一感测比的第二感测比。

4.根据权利要求2所述的融合式存储器器件，其中，所述第一相变存储器组被配置为通过使用以约100ns到300ns之间的第一间隔形成脉冲的第一设定电压和第一复位电压写入对应于二进制“0”和“1”的数据。

5.根据权利要求4所述的融合式存储器器件，其中，所述第二相变存储器组被配置为通过使用以小于所述第一间隔的第二间隔形成脉冲的第二设定电压和第二复位电压写入对应于二进制“0”和“1”的数据，所述第二复位电压具有低于所述第一复位电压的电压水平。

6.根据权利要求2所述的融合式存储器器件，其中，所述第一相变存储器组包括第一组多个相变存储器单元，所述第一组多个相变存储器单元被编程使得所述第一组多个相变存储器单元的每一个中的相变材料层能够在每个固态相之间基本完全地转变。

7.根据权利要求6所述的融合式存储器器件，其中，所述第二相变存储器组包括第二组多个相变存储器单元，所述第二组多个相变存储器单元被编程使得所述第二组多个相变存储器单元的每一个中的相变材料层能够在每个固态相之间部分地转变。

8.根据权利要求2所述的融合式存储器器件，其中，所述第二相变存储器组中的相变存储器单元中的每一个小于所述第一相变存储器组中的相变存储器单元中的每一个。

9.根据权利要求8所述的融合式存储器器件，其中，所述第一相变存储器组和所述第二相变存储器组中的多个相变存储器单元中的每一个包括单独的相应开关元件、单独的相应加热电极以及单独的相应相变材料层；并且

其中所述第二相变存储器组中的相变存储器单元中的每一个的相变材料层小于所述第一相变存储器组中的相变存储器单元中的每一个的相变材料层。

10.根据权利要求2所述的融合式存储器器件，其中，所述第一相变存储器组和所述第二相变存储器组中的多个相变存储器单元中的每一个包括：按顺序堆叠在一起的单独的相应加热电极、单独的相应相变材料层以及单独的相应上电极；并且

其中所述第一相变存储器组的每个相变存储器单元、所述单独的相应相变材料层和所述单独的相应上电极被配置为具有基本相同的图案大小，并被配置为大于它们各自的单独的相应加热电极。

11.根据权利要求10所述的融合式存储器器件，其中，所述第二相变存储器组的相变存储器单元中的每一个中的单独的相应相变材料层具有直径与各自的单独的相应加热电极的直径基本相同的接触形状。

12.根据权利要求11所述的融合式存储器器件，其中，所述第二相变存储器组的相变存储器单元中的每一个中的单独的相应上电极具有基本大于各自的单独的相应相变材料层的图案形状。

13.根据权利要求1所述的融合式存储器器件，其中，所述融合式存储器器件包括多个存储器存储体，使得所述存储器存储体的第一部分包括所述第一相变存储器组，并且所述存储器存储体的其余部分包括所述第二相变存储器组。

14.一种融合式存储器器件，包括：

第一相变存储器组，包括多个第一相变存储器单元，每个第一相变存储器单元具有第一设定电阻和第一复位电阻；以及

与所述第一相变存储器组集成在单个衬底上的第二相变存储器组，所述第二相变存储器组包括多个第二相变存储器单元，每个第二相变存储器单元具有第二设定电阻和第二复位电阻，

其中所述第二复位电阻小于所述第一复位电阻。