[发明专利]晶体管及该晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

栅电极；

栅极绝缘层；

源电极层及漏电极层；

电连接到所述源电极层的第一金属氧化物层；

电连接到所述漏电极层的第二金属氧化物层；以及

与所述栅电极重叠的具有非晶结构的氧化物半导体层，该氧化物 半导体层与所述栅电极之间夹有所述栅极绝缘层，

其中，至少所述氧化物半导体层中的与所述第一金属氧化物层接 触的第一区及与所述第二金属氧化物层接触的第二区中的每一个分 别具有结晶结构。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一金属氧化物层及 所述第二金属氧化物层中的每一个分别具有结晶结构。

3.根据权利要求1所述的晶体管，

其中所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层以及所述氧 化物半导体层中的每一个包括锌，

并且所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层的组成与 所述氧化物半导体层的组成不同。

4.根据权利要求1所述的晶体管，

其中所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层中的每一 个包括氧化锌，

并且所述氧化物半导体层是包括铟、锌及镓的氧化物半导体层。

5.根据权利要求1所述的晶体管，

其中所述第一区及所述第二区包括比所述氧化物半导体层中的 其他部分多的锌。

6.根据权利要求1所述的晶体管，

其中位于所述源电极层和所述漏电极层之间的所述氧化物半导 体层部分具有非晶结构。

7.一种晶体管，包括：

衬底上的栅电极；

所述栅电极上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的源电极层及漏电极层；

所述源电极层上的第一金属氧化物层；

所述漏电极层上的第二金属氧化物层；以及

与所述栅电极重叠的具有非晶结构的氧化物半导体层，该氧化物 半导体层与所述栅电极之间夹有所述栅极绝缘层，并且该氧化物半导 体层位于所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层上，

其中，至少所述氧化物半导体层中的与所述第一金属氧化物层接 触的第一区及与所述第二金属氧化物层接触的第二区中的每一个分 别具有结晶结构。

8.根据权利要求7所述的晶体管，其中所述第一金属氧化物层及 所述第二金属氧化物层中的每一个分别具有结晶结构。

9.根据权利要求7所述的晶体管，

其中所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层以及所述氧 化物半导体层中的每一个包括锌，

并且所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层的组成与 所述氧化物半导体层的组成不同。

10.根据权利要求7所述的晶体管，

其中所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层中的每一 个包括氧化锌，

并且所述氧化物半导体层是包括铟、锌及镓的氧化物半导体层。

11.根据权利要求7所述的晶体管，

其中所述第一区及所述第二区包括比所述氧化物半导体层中的 其他部分多的锌。

12.根据权利要求7所述的晶体管，

其中位于所述源电极层和所述漏电极层之间的所述氧化物半导 体层部分具有非晶结构。

13.一种晶体管，包括：

衬底上的栅电极；

所述栅电极上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的具有非晶结构的氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层上的第一金属氧化物层及第二金属氧化物 层；

所述第一金属氧化物层上的源电极层；以及

所述第二金属氧化物层上的漏电极层，

其中，至少所述氧化物半导体层中的与所述第一金属氧化物层接 触的第一区及与所述第二金属氧化物层接触的第二区中的每一个分 别具有结晶结构。