[发明专利]集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路的制造方法，包括下列步骤：

提供一基板，其包括一第一区域和一第二区域，该第一区域和该第二区域具有一个或多个栅极结构，该栅极结构包括一虚设栅极层；

从该第一区域和该第二区域中的一个或多个所述栅极结构移除该虚设栅极层，以在该第一区域和该第二区域中形成一个或多个沟槽；

将一导电层填入该第一区域和该第二区域中的一个或多个所述沟槽；

选择性回蚀位于该第二区域中的一个或多个所述栅极结构的该导电层；

在位于该第二区域中的一个或多个所述栅极结构的回蚀后的该导电层上方形成一保护层；以及

在该第一区域和该第二区域中形成一个或多个接触孔。

2.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，还包括：

在填入该第一区域和该第二区域中的一个或多个所述沟槽之后进行一化学机械研磨工艺；以及

在位于该第二区域中的一个或多个所述栅极结构的回蚀后的该导电层上方形成该保护层之后进行一化学机械研磨工艺。

3.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中在该第一区域和该第二区域中形成一个或多个所述接触孔包括：

在该基板上方形成一介电层；

对该介电层进行一图案化及/或蚀刻工艺。

4.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中在该第一区域和该第二区域中形成一个或多个所述接触孔包括：

在该第一区域中形成一桶状接触孔开口；以及

在该第二区域中形成一自对准接触孔开口。

5.一种集成电路的制造方法，包括下列步骤：

提供一基板，其包括一第一区域和一第二区域，其中该第一区域和该第二区域包括至少一个栅极结构，该栅极结构包括一虚设栅极层；

在该基板上方形成一第一介电层；

从该第一区域和该第二区域中的一个或多个的至少一个所述栅极结构移除该虚设栅极层，以在该第一区域和该第二区域中形成一个或多个沟槽；

将一导电层填入该第一区域和该第二区域中的一个或多个所述沟槽；

选择性回蚀位于该第一区域和该第二区域中的一个或多个所述栅极结构的该导电层；

在位于该第一区域和该第二区域中的一个或多个所述栅极结构的回蚀后的该导电层上方形成一保护层；

移除位于该基板上方的该第一介电层；

移除位于该第一区域中的一个或多个所述栅极结构的回蚀后的该导电层上方的该保护层；以及

在该第一区域和该第二区域中形成一个或多个接触孔。

6.如权利要求5所述的集成电路的制造方法，还包括：

从该第一区域和该第二区域中的一个或多个所述栅极结构选择性回蚀该虚设栅极层；

在位于该第一区域和该第二区域中的一个或多个所述栅极结构的回蚀后的该虚设栅极层上方形成一保护层；以及

移除位于该第一区域中的一个或多个所述栅极结构的回蚀后的该虚设栅极层上方的该保护层。

7.如权利要求5所述的集成电路的制造方法，还包括：

将该导电层填入该第一区域和该第二区域中的一个或多个所述沟槽的步骤之后进行一化学机械研磨工艺；以及

在位于该第二区域中的一个或多个所述栅极结构的回蚀后的该导电层上方形成该保护层的步骤之后进行一化学机械研磨工艺。

8.如权利要求5所述的集成电路的制造方法，其中移除位于该第一区域中的一个或多个所述栅极结构的回蚀后的该虚设栅极层上方的该保护层的步骤包括：

在该基板上方形成一图案层；

蚀刻该图案层以暴露出在该基板的该第一区域的一个或多个所述栅极结构的该保护层；

选择性回蚀位于该基板的该第一区域中的一个或多个所述栅极结构的该保护层。

9.如权利要求5所述的集成电路的制造方法，其中在该第一区域和该第二区域中形成一个或多个所述接触孔的步骤包括：

在该基板上方形成一第二介电层；以及

对该第二介电层进行一图案化及/或蚀刻工艺。

10.如权利要求5所述的集成电路的制造方法，在该第一区域和该第二区域中形成一个或多个所述接触孔的步骤包括：

在该第一区域中形成一多晶硅接触孔开口和一桶状接触孔开口；以及

在该第二区域中形成一自对准接触孔开口。