[发明专利]一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法

权利要求书

1.一种体硅浮体晶体管存储器单元的刷新操作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在浮体晶体管的栅极上偏置电压脉冲，以使存储第一数据状态的浮体晶体管导通，或者以使存储第二数据状态的浮体晶体管截止；在浮体晶体管的漏端/源端偏置高电平脉冲，以使所述导通的浮体晶体管的浮体区的存储电荷实现第一增量，或者以使所述截止的浮体晶体管的浮体区的存储电荷实现第二增量，所述第一增量远大于第二增量；在浮体晶体管的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结反向截止；

(2)在浮体晶体管的隐埋层上偏置电压脉冲，以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通；以及

(3)重复所述第(1)步骤。

2.如权利要求1所述的刷新操作方法，其特征在于，所述第(2)步骤中，在浮体晶体管的漏端/源端同时偏置0电平。

3.如权利要求1所述的刷新操作方法，其特征在于，所述第(1)步骤和所述第(2)步骤连续进行。

4.如权利要求1所述的刷新操作方法，其特征在于，所述浮体晶体管存储器单元为NMOS型体硅浮体晶体管存储器单元。

5.如权利要求1所述的刷新操作方法，其特征在于，所述第一数据状态为“1”，所述第二数据状态为“0”，所述高电平为0.5～0.8伏。

6.如权利要求1所述的刷新操作方法，其特征在于，所述刷新操作在体硅浮体晶体管存储单元的数据保持过程中进行。

7.一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法，所述存储器包括存储阵列，其特征在于，包括以下步骤：

(1)存储阵列中浮体晶体管的栅极上同时偏置电压脉冲，以使存储第一数据状态的浮体晶体管导通、存储数据第二数据状态的浮体晶体管截止；在存储阵列中浮体晶体管的漏端/源端同时偏置高电平脉冲，以使所述导通的浮体晶体管的浮体区的存储电荷实现第一增量、使所述截止的浮体晶体管的浮体区的存储电荷实现第二增量，所述第一增量远大于第二增量；在存储阵列中浮体晶体管的隐埋层的共同引出端上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结反向截止；

(2)存储阵列中浮体晶体管的隐埋层的共同引出端上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通；以及

(3)重复所述第(1)步骤。

8.如权利要求7所述的刷新操作方法，其特征在于，所述第(2)步骤中，在存储阵列中浮体晶体管的漏端/源端同时偏置0电平。

9.如权利要求7所述的刷新操作方法，其特征在于，所述第(1)步骤和所述第(2)步骤连续进行。

10.如权利要求7所述的刷新操作方法，其特征在于，所述浮体晶体管存储器为NMOS型体硅浮体晶体管存储器。

11.如权利要求7所述的刷新操作方法，其特征在于，所述第一数据状态为“1”，所述第二数据状态为“0”，所述高电平为0.5～0.8伏。

12.如权利要求7所述的刷新操作方法，其特征在于，所述刷新操作在浮体晶体管存储器的数据保持过程中进行。