[发明专利]带电阻随机存储器模块的单芯片结构可编程逻辑器无效
申请号: | 201010113787.4 | 申请日: | 2010-02-25 |
公开(公告)号: | CN102169711A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 林殷茵;陈凤娇;薛晓勇 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C11/00;G11C11/413 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 随机 存储器 模块 芯片 结构 可编程 逻辑 | ||
1.一种可编程逻辑器,其特征在于包括地址电路模块(310)、比较单元(320)、SRAM模块(380)、逻辑阵列(390)以及用于克服SRAM模块中软错误率的非挥发存储器模块,所述非挥发存储器模块为电阻随机存储器模块(370),所述电阻随机存储器模块与地址电路模块、比较单元、SRAM模块、逻辑阵列实现单芯片集成。
2.根据权利要求1所述的可编程逻辑器,其特征在于,所述电阻随机存储器为基于CuxO的电阻随机存储器,其中1<x≤2。
3.根据权利要求1所述的可编程逻辑器,其特征在于,所述地址电路模块通过地址线同时发送地址信号给SRAM模块和电阻随机存储器模块,分别选择电阻随机存储器模块和SRAM模块的相应的列。
4.根据权利要求1所述的可编程逻辑器,其特征在于,所述电阻随机存储器模块通过写线与SRAM模块连接,并通过写线向SRAM模块写入电阻随机存储器模块所存储的数据。
5.根据权利要求1所述的可编程逻辑器,其特征在于,所述电阻随机存储器模块通过所述写线读出相应地址的数据并输入比较单元,所述SRAM模块通过读线读出相应地址的数据并输入比较单元。
6.根据权利要求5所述的可编程逻辑器,其特征在于,所述比较单元对应比较电阻随机存储器模块所输出的数据和SRAM模块所输入的数据;如果比较结果为“相同”,则通过数据线发送地址递增命令给地址电路模块,进行下一列的比较;如果比较结果为“不相同”,则通过数据线发送控制信号给地址电路模块,使电阻随机存储器模块通过写线重新向SRAM模块的相应地址写入相应数据。
7.根据权利要求4所述的可编程逻辑器,其特征在于,电阻随机存储器模块与SRAM模块之间的每条写线上串联一个用于读出电阻随机存储器模块中的数据的灵敏放大器。
8.根据权利要求1所述的可编程逻辑器,其特征在于,所述电阻随机存储器模块包括一个以上电阻随机存储器单元,每个电阻随机存储器单元包括一个存储电阻和一个与该存储电阻串联的选通管。
9.根据权利要求1所述的可编程逻辑器,其特征在于,所述SRAM模块包括一个以上八管结构的SRAM单元。
10.根据权利要求1所述的可编程逻辑器,其特征在于,所述地址电路模块包括计数器和解码器。
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