[发明专利]一种AlGaInP发光二极管的制作方法无效
| 申请号： | 201010115161.7 | 申请日： | 2010-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102163668A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高百卉;薛蕾;武胜利;林晓文;陈向东;肖志国 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algainp 发光二极管 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlGaInP发光二极管的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1：将发光二极管芯片半切，半切深度为40-60um；
步骤2：在发光二极管芯片背面涂光刻胶，并热板烘烤至胶干；
步骤3：配置氨水腐蚀液，所述的氨水腐蚀液采用氨水∶双氧水∶水的体积比为1∶1∶1至1∶5∶1配置；
步骤4：采用花篮将步骤中的发光二极管芯片在配置好的氨水腐蚀液中腐蚀，腐蚀时间为60-240秒；
步骤5：腐蚀后用去离子水清洗芯片；
步骤6：去除芯片背面的光刻胶；
步骤7：用干燥的氮气吹干芯片。
2.如权利要求1所述的AlGaInP发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的氨水腐蚀液采用氨水∶双氧水∶水的体积比为1∶2∶1。
3.如权利要求1或2所述的AlGaInP发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的氨水腐蚀液的温度为常温。
4.如权利要求1所述的AlGaInP发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤4中所述的腐蚀时间为120秒。
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