[发明专利]成膜方法、面板制造装置、退火装置有效
申请号: | 201010116579.X | 申请日: | 2010-02-10 |
公开(公告)号: | CN101798673A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 饭岛荣一;仓内利春;箱守宗人 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 面板 制造 装置 退火 | ||
技术领域
本发明涉及对等离子体显示器面板的保护膜进行成膜的技术,特别涉及对适于作为保护膜的MgO膜进行成膜的成膜方法及其成膜装置。
背景技术
历来,在等离子体显示器面板(PDP)中使用的玻璃基板,作为保护膜形成有MgO等的金属氧化膜。
在保护膜的成膜方法中一般使用蒸镀法,在实际的生产线中,广泛使用通过成膜法,即在真空槽内部搬送基板,使其通过放出金属氧化物的蒸气的蒸镀源上的方法。
通过成膜法与使基板相对于蒸镀源静止的成膜法相比,能够连续地对许多枚基板进行成膜处理,因此生产效率高。
适于高效率地进行成膜。
专利文献1:日本专利申请特开2005-050688号公报
专利文献2:日本专利申请特开2000-021302号公报
专利文献3:日本专利申请特开平11-339665号公报
专利文献4:日本专利申请特开2002-117757号公报
本发明要解决的课题
MgO膜中(111)结晶取向强度高、膜密度高的膜适合于PDP的保护膜,但是当以通过成膜法在基板上形成MgO膜时,基板的四边中的作为与搬送方向平行的两侧边与中央部相比(111)结晶取向强度变低,此外,在膜密度中也产生不均。
发明内容
用于解决课题的方法
为了解决上述课题,本发明是一种成膜方法,将一边作为先头,使矩形的成膜对象物在真空气氛中移动,使上述成膜对象物与放出等 离子体显示器用保护膜材料的蒸气的蒸发源面对,使上述保护膜材料的蒸气到达上述成膜对象物的表面并形成保护膜,之后,对上述成膜对象物进行加热并进行退火处理,其中,在上述成膜对象物的四边中,将与上述先头的一边呈直角的两边,与该两边的中央相比加热到高温,进行上述退火处理。
本发明是一种成膜方法,一面将反应气体导入上述真空气氛,一面使上述保护膜材料的蒸气放出,对上述保护膜进行成膜,其中,在上述成膜对象物的四边中,对与上述先头的一边呈直角的两边的边缘部分,与该两边间的中央部相比,一面较多地喷吹上述反应气体一面形成上述保护膜。
本发明是一种成膜方法,其中,在上述成膜对象物的四边中,比起与上述先头的一边呈直角的两边,一面将上述两边的中央加热到高温一面形成上述保护膜。
本发明是一种成膜方法,其中,在上述保护膜材料的蒸气到达上述成膜对象物之前,在上述成膜对象物的四边中,比起与上述先头的一边呈直角的两边,预先将上述两边的中央加热到高温。
本发明是一种成膜方法,其中,在将上述成膜对象物配置在1气压以上的加热气氛中的状态下,进行上述退火处理。
本发明是一种面板制造装置,构成为具有:成膜室;成膜材料室,内部空间经由开口连接于上述成膜室的内部空间;蒸发源,其为配置在上述成膜材料室内的等离子体显示器用保护膜材料的蒸发源;以及退火室,设置有退火用加热器,在将该成膜对象物的一边作为先头,一面使矩形的成膜对象物与上述开口面对,一面使其移动,在上述成膜对象物表面形成上述保护膜材料的蒸镀膜之后,将上述成膜对象物搬入上述退火室内,以上述退火用加热器进行加热,其中,该面板制造装置构成为,上述退火用加热器在上述成膜对象物的四边中,将与上述先头的一边呈直角的两边与该两边的中央相比加热到高温。
本发明是一种面板制造装置,构成为具有:反应气体导入系统,将反应气体导入上述成膜室内,上述反应气体导入系统在上述成膜对象物的四边中,对与上述先头的一边呈直角的两边的边缘部分,与该两边的中央部相比较多地喷吹上述反应气体。
本发明是一种面板制造装置,构成为具有:成膜用加热器,在上 述成膜室内对上述成膜对象物进行加热,上述成膜用加热器在上述成膜对象物的四边中,比起与上述先头的一边呈直角的两边,将上述两边的中央加热到高温。
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